Область - пробой
Cтраница 3
Теперь рассмотрим специфику выходных характеристик ОЭ в области пробоя. [31]
Случай в - анодный металл находится в области пробоя, катодный в пассивном состоянии. [32]
Коэффициенты А и В вычисляются по измерениям в области пробоя, ток / обр и сопротивление утечки Ry - по обратной ветви ВАХ диода, коэффициент N - по прямой ветви ВАХ. Зависимость емкости Сд от напряжения для схемы на рис. 3.22 6 определяется соотношением Сд - Сбар ( 0) Х X ехр [ п ( f / проб - пер) ] 1 - гДе п - экспериментальный коэффициент. При U Unpo6 емкость Сд резко уменьшается. [33]
Случай г - анодный и катодный металлы находятся в области пробоя. [34]
При пробое выделяется большое количество энергии, материал в области пробоя разогревается настолько, что расплавляется или загорается. [35]
Особый интерес представляет переход стабилитрона из области тока насыщения в область пробоя. Исследования показали, что при этом в стабилитроне возникают довольно значительные шумы, существенно превышающие шумы установившегося лавинного процесса. [36]
 |
Лазерный взрыв в жидкости. [37] |
В работах [235, 236] показано, что при дальнейшем увеличении мощности область четочных пробоев сливается в единую нить. Одной из важнейших причин распространения четочных пробоев и нитевидных структур является формирование мощного излучения вынужденного рассеяния Манделыптама-Бриллюэна ( ВРМБ) или вынужденного комбинационного рассеяния ( ВКР) из фокальной области. [38]
 |
Характеристика стабилитрона ( а ц схема его включения ( б. [39] |
Вольт-амперная характеристика стабилитрона ( рис. 11 - 16, а) соответствует области пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики перехода. Как было показано в § 10 - 5, напряжение в случае лавинного1 или туннельного пробоя зависит от удельного сопротивления полупроводников, образующих переход. Используя пластины п - Si с различной концентрацией примесей, можно изготовить стабилитроны с различными значениями Unp0e, соответствующими переходу в область лавинообразного роста обратного тока, а следовательно, и с различными значениями напряжения стабилизации. При использовании высоколегированного n - Si при напряжениях пробоя 27Проб 6 В преобладает туннельный пробой; при С проб - 5 - г - 7 В наряду с туннельным развивается и лавинный пробой, который при С / проб 7 В становится доминирующим. [40]
Ек и Ru должны быть такими, чтобы нагрузочная прямая не пересекала область пробоя на коллекторных характеристиках. [41]
Сопротивление резистора К, подбирают таким образом, чтобы удерживать диод в области пробоя. Заметим, что в этой схеме диод включается не так, как это обычно делается в выпрямительных схемах: его присоединяют таким образом, чтобы на него подавалось напряжение обратной полярности. Следовательно, когда диод находится в области пробоя, падение напряжения на нем будет оставаться почти постоянным при небольших изменениях тока, благодаря чему на зажимах Т2 и Г3 обеспечивается стабилизированное выходное напряжение. [42]
 |
Линеаризованная характеристика стабилитрона ( а и его схема замещения ( б.| Схема простейшего стабилизатора напряжения ( а и его схема замещения ( б 2 35. [43] |
Дифференциальное сопротивление стабилитрона - это параметр, который характеризует наклон вольт-амперной характеристики в области пробоя. [44]
 |
Работа параметрического диода в режиме захода в область положительных смещений. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5