Область - пробой
Cтраница 2
Напряжение стабилизации соответствует области пробоя р - п перехода стабилитрона и является одним из основных параметров этого типа приборов. Для определения области пробоя измеряют постоянный ток при напряжении пробоя. [16]
Сопротивление диода в области пробоя зависит от структуры диода и лавинного тока. В начале пробоя это сопротивление очень велико, а при больших плотностях тока уменьшается до величины, близкой к объемному сопротивлению. Согласно теоретическим представлениям лавинный ток передается импульсами в 50 - 80 мка, проходя через ряд небольших участков перехода, что обусловливает высокое сопротивление при малом числе импульсов и уменьшение сопротивления с повышением числа импульсов. При плотности тока порядка 104 а / см2 в работу включается вся площадь перехода и сопротивление носит только объемный характер. Зависимость сопротивления по переменному току низкой частоты в области пробоя для различных пробивных напряжений от обратного тока показана на фиг. Значения сопротивления получены наложением малого сигнала переменного тока на соответствующее смещение по постоянному току и измерением потенциала переменного тока через диод. [17]
 |
Обратная ветвь вольтамперной характеристики р-п перехода с областями пробоя ( а. [18] |
Эту область называют областью пробоя перехода, а напряжение Vs, при котором наступает пробой - напряжением пробоя. [19]
Кремниевый стабилитрон работает в области пробоя, где даже небольшое повышение ( напряжения сопровождается очень большим увеличением тока. [20]
 |
Схематическое устройство выпрямительных систем. [21] |
При обычном применении измерительных вентилей область пробоя не представляет существенного интереса, так как для измерения напряжений переменного тока требуются и используются вентили, рассчитанные на работу при напряжениях от 2 до 3 в. [22]
 |
Выбор рабочей точки па вольт-амперной характеристике диода для его инвертирования. [23] |
Следовательно, при работе в области пробоя не происходит накопления неосновных носителей в базе диода. [24]
 |
Зависимость ТКН кремниевого стабилитрона от напряжения стабилизации при 300 К. [25] |
Так как реальная ВАХ в области пробоя имеет некоторый наклон, то напряжение стабилизации зависит от тока стабилизации / ст. Максимальный ток стабилизации / стта ограничен допустимой мощностью рассеяния Ртах и возможностью пере - - 0 05 хода электрического пробоя в тепловой, который является необратимым. Минимальный ток стабилизации / ст, - соответствует началу устойчивого электрического пробоя. [26]
 |
Эквивалентная схема ОЭ для постоянных составляющих. [27] |
Теперь рассмотрим специфику характеристик ОЭ в области пробоя. [28]
Таким образом, минимальные критические размеры областей пробоя с т - 1 оцениваются как гп-а - и равны соответственно 1 см и 250 - 6 мкм. [29]
Область резкого роста обратного тока называют областью пробоя р-п перехода. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5