Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Россия - неунывающая страна, любой прогноз для нее в итоге оказывается оптимистичным. Законы Мерфи (еще...)

Область - транзистор

Cтраница 1

Одна из структур реального транзистора.  [1]

Область транзистора, расположенную между p - n - переходами, называют базой. Примыкающие к базе области чаще всего делают неодинаковыми. Одну из областей изготовляют так, чтобы из нее наиболее эффективно происходила инжекция носителей в базу, а другую - так, чтобы соответствующий р-п-переход наилучшим образом осуществлял экстракцию носителей из базы.  [2]

Одна из структур реального транзистора.  [3]

Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером, соответствующий р-п-пе-реход - эмиттерным.  [4]

Одна из структур реального транзистора.  [5]

Область транзистора, основным назначением которой является экстракция носителей из базы, называют коллектором, соответствующий р-п-переход - коллекторным.  [6]

Область транзистора, расположенную между электронно-дырочными переходами, называют базой. Примыкающие к базе области чаще всего делают неодинаковыми. Одну из областей изготовляют гак, чтобы из нее наиболее эффективно происходила ин-жекция носителей в базу, а другую - так, чтобы соответствующий электронно-дырочный переход наилучшим образом осуществлял экстракцию инжектированных носителей из базы.  [7]

Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером, а соответствующий электронно-дырочный переход - эмиттерным.  [8]

Область транзистора, основным назначением которой является экстракция носителей из базы, называют коллектором, а соответствующий электронно-дырочный переход - коллекторным.  [9]

Распределение примесей и электрического поля в базе транзистора, изготовленного методом диффузии.  [10]

Область транзистора, расположенную между электронно-дырочными переходами, называют базой. Примыкающие к базе области чаще всего делают неодинаковыми. Одну из областей изготовляют так, чтобы из нее наиболее эффективно происходила инжекция носителей в базу, а другую - так, чтобы соответствующий электронно-дырочный переход наилучшим образом осуществлял экстракцию инжектированных носителей из базы.  [11]

Область транзистора, основным назначением которой является экстракция носителей из базы, называют коллектором, соответствующий электронно-дырочный переход - коллекторным.  [12]

Схематическое изображение структур биполярных транзисторов. а I - p - n - p - типа, б - п-р-п-типа.| Одна из структур реального транзистора. / - эмиттер, 2 - коллектор, 3 - электрод к базовой области, 4 - активная, 5 - пассивная, 6 - периферическая части базы.  [13]

Область транзистора, расположенную между p - Vi-переходами, называют базой. Примыкающие к базе области чаще всего делают неодинаковыми. Одну из областей изготовляют так, чтобы из нее наиболее эффективно происходила инжекция носителей в базу, а другую - так, чтобы соответствующий р - - переход наилучшим образом осуществлял экстракцию носителей из базы.  [14]

Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером, соответствующий р-п-пе-реход - эмиттерным.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5