Область - транзистор
Cтраница 4
Наряду с основными носителями заряда через эмиттерный и коллекторный переходы движутся и не основные для каждой из областей транзистора носители. На работу транзистора существенно влияет движение неосновных носителей через коллекторный переход: дырок базы - в коллектор и электронов коллектора - в базу. Оно зависит также от материала полупроводника. [46]
Вольт-амперные характеристики реального транзистора отличаются от соответствующих вольт-амперных характеристик идеализированной модели за счет влияния объемного сопротивления материала областей транзистора, поверхностных утечек р-л-пере-ходов, эффекта модуляции ширины базы, процессов рекомбинации-генерации в слое объемного заряда и ряда других факторов. В первом приближении учет влияния указанных факторов на поведение вольт-амперных характеристик реального транзистора может быть осуществлен введением в эквивалентную схему идеализированной модели транзистора рис. 1 - 6 сопротивлений г3, гк и Гб, вклкуенных последовательно с электродами идеализированной модели, и сопротивлений гэб, и rKg, включенных параллельно р-п-переходам. [47]
 |
Токи в транзисторе. [48] |
В ряде случаев необходимо учитывать протекание по поверхности транзистора токов утечки, сопровождающееся рекомбинацией носителей в поверхностном слое областей транзистора. [49]
При создании планарно-эпитаксиальных транзисторов образуется скрыть слой N - rana для уменьшения сопротивления коллектора и степени влияния подложки на эту область транзистора. [50]
 |
Сечение ( а и вид сверху ( 6 типичного диффузионного резистора. [51] |
Поскольку для изготовления транзисторной структуры требуется большое количество высокотемпературных процессов, резистивный элемент может быть получен одновременно с какой-либо из областей транзистора. В практических случаях, как было отмечено ранее, резистор чаще всего формируют на базовом слое транзисторной структуры. Следует, однако, отметить, что эмиттерный слой можно применять при формировании низкоомных термостабильных резисторов. [52]
Поэтому диапазон величины емкости ограничен, так как концентрация примесей материала и градиент диффузии определяются требованиями коллекторной, базовой и эмиттерной областей транзисторов, расположенных вместе с конденсатором на общей подложке. Увеличения емкости добиваются за счет увеличения площади переходов. [53]
В / см. Коллектором электронов, поступающих с плавающего затвора, может служить специальный поликремниевый электрод стирания или п - область, стоковая область транзистора, а также управляющий затвор. В связи с этим существует значительное число разновидностей элементов памяти. [54]
Дальнейшее развитие дискретных полупроводниковых приборов будет идти по пути расширения частотного диапазона, повышения выходных мощносте ], напряжений и токов как в области транзисторов, так и диодов. [55]
Поэтому диапазон величин удельной емкости ограничен, так как концентрация примесей в материале и градиент концентрации примесей при диффузии определяются требованиями коллекторной, базовой и эмиттерной областей транзисторов, расположенных вместе с конденсатором на общей подложке. [56]
 |
Схема элемента И2Л.| Передаточная характеристика элемента И2Л. [57] |
При больших токах преобладающей составляющей паразитных емкостей элемента ИаЛ являются диффузионные емкости / 7-л-переходов, связанные с зарядом подвижных носителей, накопленных в базовой и эмиттерной областях переключательного транзистора. [58]
Главные различия структур биполярных транзисторов полупроводниковых микросхем и дискретных транзисторов заключаются в том, что первые содержат дополнительные области, изолирующие их от общей полупроводниковой подложки, и все выводы от областей транзистора располагаются в одной плоскости на поверхности подложки. Такая структура называется пленарной. [59]
Следует остановиться еще на одном методе характеристики инерционных свойств транзистора Существует мнение о том, что инерционность транзистора при работе в насыщенном режиме удобно ( более удобно, чем временем рассасывания) характеризовать величиной накопленного заряда QH, не интересуясь, где, в каких областях транзистора он расположен. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5