Область - транзистор
Cтраница 2
Область транзистора, основным назначением которой является экстракция носителей из базы, называют коллектором, соответствующий р-п-переход - коллекторным. [16]
Та область транзистора, основным назначением которой является инъекция носителей тока в базу, называется эмиттером, а область, основным назначением которой является эксклюзия носителей тока из базы, называется коллектором. Принцип действия плоскостного триода состоит в следующем. [17]
Успехи в области транзисторов дают возможность применять их в вольтметрах непосредственного отсчета, заменяя ими одну или более ламп. При подсоединении такого транзистора к микроамперметру с диапазоном измерения О-50 мка он потребляет от источника 1 мка, что соответствует сопротивлению вольтметра 1 мгом / в. Эти величины сравнимы с подобными для ламповых вольтметров и вполне приемлемы для вольтметров постоянного тока. [18]
Эмиттерную и коллекторную области горизонтального транзистора изготовляют одновременно. Рабочие токи эмиттера невелики, так как они ограничены малой площадью боковых частей эмиттера. [19]
Минимальные горизонтальные размеры областей транзистора определяются точностью изготовления и совмещения фотошаблонов, а также влиянием боковой диффузии. [20]
 |
Транзисторы типов р-п - р ( а и п-р - п ( 6. [21] |
В процессе изготовления все области транзистора создают в одном монокристалле. [22]
В левой / - области транзистора примеси р-тша содержится в сотни раз больше, чем примеси - типа в л-области. [23]
 |
Потенциальная диаграмма транзистора. [24] |
По рекомендуемой терминологии эмиттером следует называть область транзистора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базу. Коллектором называют область, назначением которой является экстракция носителей заряда из базы. А базой является область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для этой области носители заряда. [25]
 |
Структура эмиттера мощного биполярного транзистора. [26] |
При увеличении температуры концентрация носителей в высокоомной области транзистора, возникших вследствие термогенерации, может превысить концентрацию примеси, и р-п переход практически исчезнет; работа транзистора нарушится. Рост температуры приводит также к увеличению коллекторного тока в закрытом состоянии транзистора и остаточного напряжения на транзисторе в режиме насыщения, а также к снижению быстродействия. [27]
В ряде случаев бывают существенны объемные сопротивления всех областей транзистора, в особенности области базы, которая отличается наименьшими размерами и часто обладает наибольшим удельным сопротивлением. Объемное, или распределенное, сопротивление области базы г представляет собой электрическое сопротивление для потока основных носителей, который в соответствии с принципом нейтральности базы ( см. стр. Сопротивление гб в сочетании с емкостями р-п переходов может существенно ограничивать эффективность работы транзистора на высоких частотах. [28]
Гэ - падение напряжения в коллекторной и эмиттерной областях транзистора. [29]
 |
Распределение концентрации. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5