Cтраница 5
Схематический разрез полевого транзистора с каналом р-типа показан на рис. 3.42. Нижний участок полупроводникового канала р-типа имеет невыпрямляющий, омический контакт с выводом исток, верхний - с выводом сток. Область транзистора с электропроводностью р-типа граничит с областью с электропроводностью я-типа. На границе этих областей образуется p - n - переход. [61]
![]() |
Структура ( а, движение носителей заряда ( б, в и потенциальный барьер ( г, д р - п - р-транзистора. [62] |
Эти области разделяются электронно-дырочными переходами. Область транзистора, расположенная между р - п-перехо-дами, называют базой. [63]
Тепловые шумы обусловлены тепловыми флюктуациями электронов, характерными для любого резистора. Поскольку все области транзистора обладают некоторыми сопротивлениями, то в них возникают шумовые напряжения. Так как сопротивления эмиттерной и коллекторной областей сравнительно малы, то главную роль в создании тепловых шумов играет сопротивление базы ГБ, тем более что оно включено во входную цепь и шум от него усиливается самим транзистором. [64]