Область - эмиттер
Cтраница 1
Область эмиттера легируют примесью, создающей дырочную проводимость, значительно сильнее, чем область базы примесью, дающей электронную проводимость. [1]
Область эмиттера легируют примесью, создающей дырочную проводимость, значительно сильнее, чем область базы, легированной примесью, дающей электронную проводимость. [2]
 |
Транзистор типа п-р - п. [3] |
Область эмиттера сп - электропровод-насты. [4]
Гв область эмиттера подвергается допол-свинеа алюминием: 4 - нительному травлению, а тантал более стоек к воздействию плавиковой кислоты. [5]
Если область эмиттера ( имеющая дырочную проводимость) образует с базовой областью ( имеющей электронную проводимость) переход с большим напряжением пробоя, то очевидно, что прибор будет обладать высоким значением максимально допустимого напряжения. Если вместо эмиттерной области, состоящей из полупроводника с дырочной проводимостью, используется металл, то возможно выполнение переключающего прибора ( при условии, что anpn Yml), обладающего низким значением максимально допустимого напряжения. [6]
 |
Структура и схема включения транзистора типа р-п - р. [7] |
Если область эмиттера легирована сильнее, чем база, то поток дырок будет превышать встречный поток электронов. Если область базы достаточно тонкая, то большая часть ( 95 - 99 %) попавших в нее дырок не успевает рекомбинировать с электронами и попадает на коллектор, создавая ток / к в его цепи Малая доля рекомбинирующих дыро. [8]
В области эмиттера эти носители оказываются неосновными и рекомбинируют. Кроме того, через эмиттерный переход проходит ток, связанный с рекомбинацией носителей в области объемного заряда / Эрек, а иногда ( при малых общих токах) бывает заметен и ток утечки. [9]
Водимость области эмиттера и коллектора в 102 - 103 раз больше проводимости базы, а коллекторный переход смещен в обратном направлении. [10]
Удельные сопротивления областей эмиттера и базы равны 0 05 и 1 2 Ом - см, а их толщина - 1 5 и 5 мкм. [11]
При конверсионном методе область эмиттера и базы создается с помощью обратной диффузии акцепторов из кристалла во вплавляемый эмиттерный электрод. [12]
При конверсионном методе область эмиттера и базы создается с помощью обратной диффузии акцепторов из кристалла во вплавляемый эмиттерный электрод. [13]
Падениями напряжения в области эмиттера и в местах присоединения наружных контактов практически можно пренебречь. При больших токах напряжение базы L / o преобладает и вольт-амперная характеристика вырождается в линейную; вырожденный участок называется омическим и составляет основную часть прямой ветви характеристики. [14]
Сам индий с сильнолегированной областью эмиттера образует омический ( или невыпрямляющий) контакт. [15]
Страницы: 1 2 3 4