Область - эмиттер
Cтраница 3
Температурная зависимость чувствительности у фо-тотранзисторов с освещаемой областью эмиттера или коллектора выражена гораздо слабее, чем у фототранзисторов с освещаемой областью базы. [31]
Температурная зависимость чувствительности у фототранзисторов с освещаемой областью эмиттера или коллектора выражена гораздо слабее, чем у фототранзисторов с освещаемой областью базы. [32]
 |
Токи в транзисторе. [33] |
В результате снижения потенциального барьера дырки из области эмиттера диффундируют через р-и-переход в область базы ( инжекция дырок), а электроны - из базы в область эмиттера. Однако, поскольку удельное сопротивление базы высокое, дырочный поток носителей заряда преобладает над электронным. [34]
 |
Транзистор типа PNP. [35] |
Транзистор работает следующим образом: Р - область эмиттера обработана так, что в ней имеется гораздо больше носителей зарядов Р - типа, чем носителей зарядов Af-типа в области базы. [36]
В этих условиях ток, протекающий через область эмиттера, выражается в функции напряжения на образце и полученную вольтамперную характеристику можно наблюдать на экране осциллографа. [37]
В случае недостаточно высокого качества эмиттер-ного перехода области эмиттера и базы могут электрически соединяться друг с другом через какие-либо источники утечек на поверхности кристалла. Так как сопротивление перехода эмиттер - база убывает с ростом тока, эти утечки будут сильно сказываться на малых плотностях тока, а при увеличении тока их роль будет убывать и коэффициент усиления будет увеличиваться. [38]
В противном случае будет велика вероятность закорачивания областей эмиттера и коллектора. [39]
 |
Распределение электрического поля ( а и концентрации дырок ( б в эмиттере. [40] |
Примерное распределение Ер ( х) в квазиэлектроней-тральной области эмиттера показано на рис. 2.17, а. Обычно при низком уровне ин-жекции тормозящее электрическое поле достаточно велико, и дырки, диффундирующие против поля, проникают в эмиттер на небольшое расстояние, на котором Ер мало изменяется. [41]
Это напряжение изменяет величину потенциального барьера между областью эмиттера и областью базы и сильно влияет на величину тока, проходящего из эмиттера через область базы в цепь коллектора. Так как ток в цепи коллектора лишь немного меньше тока в цепи эмиттера, а сопротивление в цепи коллектора весьма велико, то на зажимах приемника возникает переменное напряжение и2 значительно превышающее напряжение MX. Таким образом, триод работает как усилитель напряжения. [42]
Это напряжение изменяет величину потенциального барьера между областью эмиттера и областью базы и сильно влияет на величину тока, проходящего из эмиттера через область базы в-цепь коллектора. Таким образом, триод работает как усилитель напряжения. [43]
Это напряжение изменяет значение потенциального барьера между областью эмиттера и областью базы и сильно влияет на значение тока, проходящего из эмиттера через область базы в цепь коллектора. Так как ток в цепи коллектора лишь немного меньше тока в цепи эмиттера, а сопротивление в цепи коллектора весьма велико, то на зажимах приемника возникает переменное напряжение и2, значительно превышающее напряжение uv Таким образом, триод работает как усилитель напряжения. Коэффициент усиления напряжения аи и2 / и ] получается порядка десятков. [44]
Обычно площадь коллектора больше площади эмиттера, а область эмиттера легирована значительно сильнее, чем коллектора. [45]
Страницы: 1 2 3 4