Область - эмиттер
Cтраница 2
Сам индий с сильнолегированной областью эмиттера образует омический ( или не выпрямляющий) контакт. [16]
Для фототранзистора с освещаемой областью эмиттера получаем аналогичный результат. [17]
При изготовлении транзистора в области эмиттера создают большую концентрацию акцепторов, а в базе - значительно меньшую концентрацию доноров. [18]
Когда зонд находится в области эмиттера, то изображение обеих ветвей вольтамперной характеристики модулируется частотой 10 кгц ( см. фиг. [19]
Соответственно, если толщина области эмиттера меньше диффузионной длины Ln, то и эту величину следует заменить на толщину эмиттерной области. [20]
 |
Структура меза-планар.| Структура пленарного транзистора. [21] |
После напайки кристалла к областям эмиттера и базы подводятся выводы и транзистор герметизируется. [22]
Одна из крайних областей, область эмиттера, имеющая электронную проводимость, заземлена. К этой области прилегает тонкая ( для обеспечения большого а) базовая область с дырочной проводимостью, к которой прикреплен управляющий электрод. Наконец, к этой широкой базовой области с электронной проводимостью примыкает крайняя область ( с дырочной проводимостью), осуществляющая функции эмиттера, к которой прикреплен один из главных электродов прибора. Если бы эта область отсутствовала, то прибор представлял собой обычный триод типа п-р - п, имеющий сравнительно высокое значение апрп, включенный по схеме с общим эмиттером. [23]
Попутно заметим, что для области эмиттера из ( 1 - 57) можно сделать обратный вывод считать, что там имеет место дрейфовый механизм переноса дырок. [24]
Резкое превышение концентрации примеси в области эмиттера Nаэ над концентрацией примеси в базовом слое N; при условии рэ ПБ прямой ток / э будет обусловлен носителями, инжектированными из эмиттера в базу. [25]
Диффузионные потоки дырок устанавливаются в области эмиттера и в области коллектора, и. [26]
При изготовлении триода создают в области эмиттера большую концентрацию акцепторов, а в базе - значительно меньшую концентрацию доноров. [27]
В то время как сопротивлениями областей эмиттера и коллектора в общем случае можно пренебречь, внутреннее базовое сопротивление г55 оказывает заметное влияние на свойства транзистора. [28]
Частотная зависимость чувствительности фототранзисторов с освещаемой областью эмиттера и коллектора определяется только релаксацией заряда в базе. [29]
Частотная зависимость чувствительности фототранзисторов с освещаемой областью эмиттера и коллектора определяется тдлько релаксацией заряда в базе. [30]
Страницы: 1 2 3 4