Область - эмиттер
Cтраница 4
Аналогично с помощью уравнения непрерывности для дырок в области эмиттера вычисляется составляющая / ар. [46]
Эффективность эмиттера тем выше, чем сильнее легирована область эмиттера и чем более высоко-омным выбран исходный материал базы. [47]
Остановимся на уравнениях фототранзистора, у которого освещается область эмиттера или коллектора. [48]
В силу закона электрической нейтральности дырки, прошедшие из области эмиттера через базу в область коллектора, будут компенсированы электронами, приходящими в коллектор из внешней цепи и создающими в ней ток коллектора. Однако не все дырки, инжектированные из эмиттера в базу, достигнут коллекторной области. Небольшая их часть успевает рекомби-нировать с электронами в базовой области. Потеря зарядов в базовой области приводит к протеканию тока в цепи базы / в. [49]
Неосновные носители ( электроны), инъектируемые базой в область эмиттера, практически не влияют на величину тока коллектора. Это объясняется тем, что в действительности концентрация атомов трехвалентной примеси в эмиттере значительно больше, чем концентрация пятивалентных примесей в базе. [50]
ОР) Э ( р) э относятся к области эмиттера; соответственные величины ( рп) к и ( Lp) K для области коллектора имеют, вообще говоря, иное значение. [51]
 |
Подача рабочих смещений на транзисторы р-п - р и п-р - п.| Распределение токов в транзисторе р-п - р. [52] |
В процессе изготовления транзистора структуры р-п - р в область эмиттера вводится большее количество акцепторной примеси, чем в область базы донор-ной примеси. [53]
Так как мы предположили, что область коллектора и область эмиттера идентичны по своим параметрам, то и уравнения для них будут идентичными. [54]
Страницы: 1 2 3 4