Крайняя область

Cтраница 1

Крайние области называются эмиттером и коллектором, средняя - базой. [1]

Крайние области называются соответственно коллектором и эмиттером. [2]

Энергетическая схема и распределение токов в транзисторе структуры п-р - п при нормальных смещениях. Стрелки указывают направление движения электронов. Сплошными линиями изображены электронные составляющие токов, штриховыми - дырочные. [3]

Соответственно крайние области называются эмиттером и коллектором. [4]

Правая крайняя область характеризует совокупность значений Re и Мол для которой справедливы уравнения Навье - Стокса. При больших реинольдсовых числах в этой области можно пользоваться уравнениями пограничного слоя в газе при больших скоростях, если числа Мсо значительно отличаются от нуля, и уравнениями пограничного слоя в несжимаемой жидкости, если числа Мте мало отличаются от нуля. [5]

Правая крайняя область характеризует совокупность значений Rex и Moo, для которой справедливы уравнения Навье - Стокса. [6]

Схемы и условные обозначения транзисторов. [7]

Крайние области монокристалла называются соответственно эмиттером и коллектором. [8]

Схематическое устройство полупроводникового прибора с четырехслой-ной структурой ( а, представление его в виде двухтранзисторной схемы ( б, в. [9]

Крайнюю область р структуры, к которой подключается положительный полюс источника питания, принято называть анодом А; крайнюю область п, к которой подключается отрицательный полюс этого источника, - катодом К, а вывод от внутренней области р - управляющим электродом УЗ. Естественно, что для полупроводникового прибора такие определения носят условный характер, однако они получили широкое распространение по аналогии с тиратронами и ими удобно пользоваться при описании схем с этими приборами. [10]

Крайнюю область р, к которой подключается положительный полюс источника, называют анодом; крайнюю область п, к которой подключен отрицательный полюс источника, - катодом. [11]

Схема устройства плоскостного триода.| Изображение полупроводниковых триодов на схемах. [12]

Одна крайняя область называется эмиттером, другая - коллектором. Как видно, в полупроводниковом триоде имеются два р-п перехода: эмиттерный и коллекторный. Расстояние между этими переходами обычно бывает очень малым, порядка 10 - 20 мк. Таким образом, средняя область триода представляет собой очень тонкий слой. Это является важнейшим условием для работы полупроводникового триода. [13]

Принцип устройств. [14]

Одна крайняя область называется эмиттером, другая - коллектором. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5