Cтраница 3
Одну из крайних областей транзисторной структуры легируют сильнее; ее используют обычно в режиме инжекции и называют эмиттером. [31]
Таким образом обе крайние области горения характеризуются неполнотой горения даже при наличии однородной горючей газовоздушной смеси. [32]
![]() |
Вольтамперная характеристика неуправляемого переключающего диода ( диод-тиристора. [33] |
Таким образом, обе крайние области выполняют роль эмиттеров, причем каждый эмиттер отвечает вторичной встречной инжекцией на инжекцию другого эмиттера. Этим создаются все необходимые предпосылки для развития лавинного процесса. [34]
Таким образом, обе крайние области горения характеризуются неполнотой горения даже при наличии однородной горючей газсвоздушной смеси. [35]
Таким образом, имеются две крайние области горения: химическая или так называемая кинетическая, в которой регулятором скорости выгорания смеси является скорость самой химической реакции, зависящей, как мы видели, от температуры, концентрации и давления в смеси, и физическая ( ее называют диффузионной), в которой регулятором скорости выгорания является скорость смесеобразования, зависящая от вязкости газа, скорости потока, его геометрических размеров и других характеристик, которые могут воздействовать на характер течения потока-и, следовательно, на интенсивность смесеобразования. Примером горения в первой области является выгорание готовой однородной гаэовоэдушной смеси, о которой рассказывалось в предыдущей главе. [36]
В связи с таким представлением крайние области тиристорной структуры называют эмиттерами ( п и р), примыкающие к ним р-п-переходы - эмиттерными, центральный переход - коллекторным. Электрод, обеспечивающий контакт с n - эмиттером, называют катодом, с р-эмиттером - анодом. [37]
![]() |
Условные изображения транзисторов. а - типа п-р - п, б - типа Р - п - Р.| Схемы включения транзисторов. а - с общей базой, б - с общим эмиттером, в - с общим коллектором. [38] |
Средняя область называется базой, а крайние области - эмиттером и коллектором. [39]
Средняя область транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. [40]
Существуют также транзисторы, в которых крайние области имеют электронную проводимость, а Средняя область - дырочную. Сущность процессов и основные соотношения для обоих типов транзисторов одинаковы, меняется только полярность включения. [41]
Применяются и более простые транзисторы без тонких крайних областей истока и стока. [42]
Оценки рКа и рКа2 только по крайним областям кислотности следует считать лишь предварительными. С другой стороны, эта проверка необходима и потому, что в случае сильно перекрывающихся констант оценка их по крайним областям кислотности сопряжена со значительными погрешностями. [43]
Оценки pKat и рКаг только по крайним областям кислотности следует считать лишь предварительными. С другой стороны, эта проверка необходима и потому, что в случае сильно перекрывающихся констант оценка их по крайним областям кислотности сопряжена со значительными ошибками. [44]
Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. [45]