Cтраница 2
Две крайние области всегда имеют проводимость одинакового типа, противоположную проводимости средней области. Физические процессы, протекающие в триодах обоих типов, аналогичны. [16]
Между указанными крайними областями горения - кинетической и диффузионной - встречается и так называемая промежуточная область, в которой становится заметным воздействие как физических, так и химических факторов горения. [17]
Эти две крайние области разделены областью частичной рек-исталлизации, в которой неоднородность носит островной харак-зр. [18]
Электроды от крайних областей называют эмиттерными, а от одной из средних - базовым или управляющим. [19]
![]() |
Схематическое изображение тиристоров. [20] |
Электроды от крайних областей называют эмиттерными, а от одной из средних - базовым или управляющим. Вывод, от которого прямой ток течет во внешнюю цепь, называют катодным, а к которому ток течет из цепи - анодным. [21]
Одна из крайних областей - та, в которую втекает ток из внешней цепи, называется анодом; другая крайняя область - катодом. [23]
Одна из крайних областей, область эмиттера, имеющая электронную проводимость, заземлена. К этой области прилегает тонкая ( для обеспечения большого а) базовая область с дырочной проводимостью, к которой прикреплен управляющий электрод. Наконец, к этой широкой базовой области с электронной проводимостью примыкает крайняя область ( с дырочной проводимостью), осуществляющая функции эмиттера, к которой прикреплен один из главных электродов прибора. Если бы эта область отсутствовала, то прибор представлял собой обычный триод типа п-р - п, имеющий сравнительно высокое значение апрп, включенный по схеме с общим эмиттером. [24]
![]() |
Структурная схема тиристорного возбуждения турбогенератора ТГВ-300. [25] |
Вывод от крайней области р называется анодом А, крайней области п - - катодом / Си средней области р - управляющим электродом У. [26]
![]() |
Структурные схемы транзисторов. [27] |
Одна из крайних областей транзистора ( например, левая) называется эмиттером, а прилегающий к ней р-ге-переход - эмиттерным. Через эмиттерный переход, смещенный в прямом направлении, происходит инжекция носителей в центральную область, называемую базой. Правая область транзистора называется коллектором, а граничащий с ней р-я-переход - коллекторным. Эта область собирает носители, инжектированные эмиттером в базу. [28]
Одну из крайних областей транзисторной структуры создают с повышенной концентрацией примесей, используют в режиме инжекции и называют эмиттером. Среднюю область называют базой, а другую крайнюю область-коллектором. Два перехода БТ называются эмиттерным и коллекторным. [29]
Одну из крайних областей транзисторной структуры создают с повышенной концентрацией примесей, используют в режиме инжекцни и называют эмиттером. Среднюю область называют базой, а другую крайнюю область - коллектором. Два перехода БТ называются эмиттерным и коллекторным. [30]