Крайняя область

Cтраница 4

Схематическое изображение транзистора.| Устройство сплавного транзистора. / эмиттер, 2 коллектор, 3 - база.| Упрощенная схема изготовления транзистора методом диффузии. [46]

Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область называется эмиттером, другая - коллектором. Расстояние между, ними очень мало - порядка нескольких микрометров. Следовательно, область базы представляет собой очень тонкий слой. Кроме того, концентрация атомов примеси в области базы незначительна - во много раз меньше, чем в эмиттере. Это является важнейшим условием работы транзистора. Конструктивно транзисторы различаются в зависимости от мощности и метода образования р-п переходов. [47]

Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. Переходы между базой и эмиттером и базой и коллектором называются соответственно эмиттерным и коллекторным. [48]

Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. [49]

Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область - эмиттером, другая - коллектором. Таким образом, в транзисторе имеются два п - р-перехода: эмиттерный - между эмиттером и базой и коллекторный - между базой и коллектором. Это является условием для хорошей работы транзистора. Кроме того, концентрация примесей в базе всегда значительно меньше, чем в коллекторе и эмиттере. От базы, эмиттера и коллектора сделаны выводы. [50]

Зависимость коэффициента рекомбинации К от положения уровня -. л в примесном полупроводнике. [51]

Когда уровень ловушек находится в одной из крайних областей, коэффициент рекомбинации существенно зависит от положения уровня - Еп. [52]

Если у прибора сделаны выводы только от крайних областей структуры, то он называется диодным тиристором или динистором. [53]

Если у прибора сделаны выводы только от крайних областей структуры, то он называется диодным тиристором, или динистором. Он характеризуется предельным допустимым значением тока / ПРЕД при небольшом остаточном напряжении U0CT - точка В. [54]

Если у прибора сделаны выводы только от крайних областей структуры, то он называется диодным тиристором или динистором. [55]

Зависимость растворимости бензола от концентрации водных растворов полиметакриловой кисло-ты ( 1, полиакриловой кислоты ( 2, поливинилового спирта ( 3 и поли-винилпирролидона ( 4 при 20 С 0 1. [56]

Таким образом, возрастание связывания углеводорода в крайних областях рН можно, по-видимому, объяснить образованием новых гидрофобных областей в молекуле Т - глобулина, которая в этих условиях находится в состоянии клубка. Уменьшение удельного оптического вращения и характеристической вязкости при рН 2 свидетельствуют об образовании новых более компактных структур у-глобулина. [57]

Узкий слой в середине называется базой, а крайние области - эмиттером и коллектором. [58]

Условное схематическое изображение светодиода ( а и спектральные характеристики. [59]

Средняя часть рассматриваемых структур называется базой, одна крайняя область - коллектором, а другая - эмиттером. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5