Обедненная область

Cтраница 1

Обедненная область, связанная с барьером Шотки, должна размещаться в пределах эпислоя с достаточно малой концентрацией доноров. В этом случае обеспечивается термоэмиссионный механизм проводимости, приводящий к т) 1 (2.3), уменьшается емкость барьера (2.5) и оказывается достаточно высоким пробивное напряжение. Последнее позволяет использовать большую мощность гетеродина для достижения малых потерь преобразования без опасения возрастания шумов, связанных с лавинным пробоем. Отметим, что для сохранения минимального значения ц с понижением температуры концентрация доноров в эпислое должна уменьшаться. [1]

Расширение обедненного слоя при наличии акцепторных уровней на поверхности. [2]

Обедненная область образуется в n - области за счет заряженных донорных уровней, а наличие на поверхности отрицательно заряженных акцепторных состояний ослабляет напряженность поля. [3]

Обедненная область, которая является потенциальной ямой для неосновных носителей. Поэтому заряд дырок, инжектируемый каким-либо образом в потенциальную яму, может храниться в ПЗС. Наличие или отсутствие заряда характеризует два логических состояния ПЗС. [4]

Эта обедненная область добавляет от 0 2 до 0 5 нм к электрически эффективной толщине окисла в зависимости от уровня легирования поликремния, что приводит к нестабильной работе ИМС. [5]

Структура канала МДП-тран-зистора при различных смещениях затвора и стока. [6]

Толщина обедненной области под инверсным слоем в этом направлении увеличивается вследствие возрастания разности потенциалов между подложкой и каналом. [7]

Ширина обедненной области при этом увеличивается, а проводящий канал сужается. Сн, обедненные области смыкаются у стокового конца ( рис. 4.24, в) и дальнейший рост тока с ростом напряжения на стоке прекращается. [8]

Проходя через обедненную область полупроводника, электроны1 уменьшают сопротивление коллекторного барьера. [9]

Граница между обедненной областью и областью электронейтральности не является резкой вследствие некоторого размытия, обусловленного функцией распределения носителей заряда. Таким образом, пространственное разрешение вольт-фарадных методов принципиально ограничено значением дебаевской длины экранирования в данном полупроводниковом материале. [10]

В этом случае обедненная область создается п подложке и проникает частично в канал ПЗС-етруктуры. Электроны оказываются непосредственно в обедненной области либо диффундируют в нее и под действием сильного поля переносятся па границу с жидким кристаллом. Накопленный на этой границе заряд создает потенциал, вызывающий электрооптический отклик в жидком кристалла. К этому и сводится принцип работы описываемого ПВМС. [11]

Протекание тока в обедненной области обеспечивается за счет экстракции дырок из канала и переноса их на сток электрическим полем, существующим в данной области. [12]

Блок-схема гамма-спектрометра с Ge ( Li полупроводниковым детектором. Детектор смонтирован на стержне, опущенном в жидкий азот. 1 - источник. 2 -детектор. з - охлаждаемый стержень. 4 - пред-усилитель с низким уровнем шумов. 5 - линейный усилитель.| Спектр v-излучения Со и, полученный. а с помощью литиевого дрейфового германиевого Ge ( Li р - г - п-детектора с глубиной обедненной области 3 5 мм. б с помощью сцинтилляционного спектрометра на основе NaJ размерами 76 2 мм X 76 2 мм. [13]

Мэв поглощаются в обедненной области детектора за счет фотоэффекта, а выше 2 Мэв - за счет образования электронно-позитрои-ных пар. [14]

Этот слой называется обедненной областью и, говорят, что МДП-конденсатор находится в состоянии или режиме обеднения. Режим обеднения является основным рабочим режимом для фото - ПЗС. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5