Обедненная область

Cтраница 2

Последнее выражение показывает, что обедненная область может существовать при значениях потенциала, тем больших, чем больше концентрация примесей и чем больше отклонение квазиуровня Ферми для неосновных носителей от равновесного значения. [16]

Схематическое изображение вольт-амперной характеристики ИПД. [17]

При дальнейшем увеличении приложенного напряжения обедненная область перехода с обратным смещением расширяется дальше в / г-область, пака в конце концов не происходит пробой. [18]

ОН двумерного электронного газа перекрыта обедненной областью управляющего перехода. Канал возникает при некотором положительном напряжении, равном пороговому [ см. формулу (5.5) ], когда обедненная область управляющего перехода сужается настолько, что ее нижняя граница попадает в ОН электронов. [19]

Принципиальная схема полевого транзистора. [20]

При увеличении запорного напряжения на затворе обедненные области в пластине растут, сечение канала уменьшается, его сопротивление растет, вследствие чего ток / с уменьшается, а вместе с ним уменьшается и напряжение на нагрузочном сопротивлении Rn. [21]

Таким образом, распределение потенциала в обедненной области параболическое. [22]

Напряженность электрического поля максимальна в центре обедненной области и уменьшается до нуля по обе стороны обедненной области. Разность потенциалов междур - и - областями пропорциональна работе, затраченной на перемещение элементарного положительного заряда слева направо через обедненную область. Затраченная работа увеличивается по мере перемещения заряда направо через обедненную область, соответственно увеличивается разность потенциалов. [23]

Преобразование фрагмента изображения в видеосигнал определяется процессами в обедненной области р-п-перехода. На фотодиод подается обратное смещение, при этом в емкости р-п-перехода накапливается заряд, величина которого однозначно связана со смещением. Схема включения изображена на рис. 11.1. После снятия напряжения емкость начинает постепенно разряжаться током утечки. При освещении ток разрядки больше и емкость разряжается быстрее. [24]

В полевых транзисторах для управления шириной проводящей области используются обедненные области обратно смещенных р-п переходов. [25]

Если положительное напряжение на л-слое достаточно велико, то приповерхностные подзатворные обедненные области смыкаются ( в вертикальном направлении) с обедненной областью р-п перехода. Под каждым затвором образуется единая обедненная область, энергия электронов в которой меньше, чем в подложке и вблизи поверхности полупроводника. [26]

Прямое включение р-п перехода. [27]

Так же как и в предыдущем случае, поскольку сопротивление обедненной области р - п перехода выше, чем сопротивление полупроводнико-вого материала, все напряжение батареи практически оказывается приложенным к р - п переходу. [28]

Когда обратное напряжение возрастает до уровня У электрическое поле в обедненной области / - л-перехода увеличивается настолько, что электрон в этом поле приобретает достаточную энергию для разрушения ковалентной связи. В этом случае разрушенная ковалентная связь поставляет в обедненную область дополнительный электрон. В свою очередь, эти два электрона способны выбить еще два, и так далее. Ток через обратно смещенный диод резко возрастает. Этот эффект называется лавинным пробоем. Если не ограничить протекающий обратный ток, диод может повредиться. [29]

При диффундировании носителей из той или другой объемной области в обедненную область имеет место один из трех процессов. Носитель может пересечь обедненный слой и выйти из этого объема с другой стороны, в таком случае этот носитель является одним из тех, которые образуют поток пересекающих обедненный слой носителей; этот случай рассмотрен в разд. Наконец, носитель может попасть на ХШР-центр внутри обедненного слоя, где он будет оставаться то время, которое определяется динамическими свойствами этого центра. В последнем случае это приведет к импульсу тока во внешней цепи, а сумма таких импульсов от всех центров, находящихся в обедненном слое, образует реком-бинационный ток в этой цепи. Этот ток состоит из стационарной составляющей, на которую накладываются распределенные по случайному закону рекомбинационные флуктуации. Таким же образом, когда имеет место акт генерации на таком центре, генерированный носитель проходит через обедненную область под действием электрического поля в объемную область, где он уже выступает в качестве основного носителя. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5