Обедненная область

Cтраница 3

Упрощенная эквивалентная схема двухэмиттерного тран-ьистора. [31]

Модель полупроводникового диода получается на основе представления его структуры в виде обедненной области р - - перехода и электрически нейтральных полупроводниковых областей. [32]

Энергетические зонные диаграммы перехода металл - полупроводник.| Энергетическая зонная диаграмма перехода М - П ( а, распределение объемного заряда ( б и электрического поля ( а. [33]

ND-Поэтому такую область называют областью пространственного заряда ( ОПЗ) или обедненной областью. [34]

Поэтому напряженность электрического поля в объеме полупроводника практически равна нулю и размеры обедненной области не изменяются при изменении внешнего напряжения. [35]

При освещении фотогенерированные неосновные носители увлекаются к межкристаллитным границам электрическими полями в обедненных областях, окружающих эти границы. Поскольку в начальный момент времени избыточное число основных носителей в области максимума потенциального барьера на межкристаллитной границе мало, неосновные захватываются на пограничных состояниях, тем самым уменьшая полный заряд и снижая высоту потенциальных барьеров. [36]

Метод обратной связи основан на использовании цепи обратной связи для управления смещением границы обедненной области под действием переменного напряжения. [37]

Если же толщина слоя объемного заряда меньше длины свободного пробега, электроны в обедненной области не испытывают столкновений. Из полупроводника в металл могут перейти электроны, кинетическая энергия которых достаточна для преодоления потенциального контактного барьера. [38]

ГР ( ] - К Р Ро) 3 - Генерационно-рекомбинационный шум в обедненной области идеального p - n - перехода отсутствует. Однако в реальных переходах, и особенно в кремниевых диодах, он существует и вызван актами генерации-рекомбинации на центрах рекомбинации с одиночными уровнями в запрещенной зоне полупроводника. Механизм возникновения этого шума состоит в следующем. Носитель, диффундирующий в обедненную область перехода, попадает на центр рекомбинации, захватывается им и остается там некоторое время. Во внешней цепи при исчезновении носителя возникает элементарный импульс тока. [39]

Тепловой шум канала изменяет потенциал по его длине, модулирует толщину канала и обедненной области под затвором. Между токами шумов канала и затвора имеется корреляция. [40]

Идеальный диод с р-л-переходом - это прибор, в котором генерационно-рекомбинационными эффектами в обедненной области перехода и поверхностными эффектами пренебрегают. [41]

Явление переноса носителей зарядов ( в данном случае электронов) из канала через обедненную область в сток подобно переходу зарядов из базы в коллектор биполярного транзистора через обратно смещенный р-и-переход. [42]

ПЗС структура с трехшинным управлением.| ПЗС структура сдвигового регистра с двухшинным управлением. [43]

Под действием внешнего поля в объеме материала полупроводника, примыкающей к поверхности, образуются обедненные области, представляющие собой потенциальные ямы для неосновых носителей. После прекращения облучения ПЗС структуры могут сохранять накопленные заряды, а при подаче соответствующей последовательности управляющих импульсов передавать эти заряды в определенном направлении от одной структуры к другой. Однонаправленная передача информации возможна при организации систем с числом ступенек инверсионной области не менее трех. [44]

Экран ( рис. 20, в) представляет собой балочную металлическую рамку, перекрывающую обедненную область на поверхности диода. Методы повышения радиационной стойкости были разработаны для диодов с большими рабочими токами. В электронно-лучевых накопителях с небольшими рабочими токами радиационные эффекты сказываются не так сильно, и методы радиационной защиты упрощаются. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5