Обедненная область

Cтраница 4

Напряженность электрического поля максимальна в центре обедненной области и уменьшается до нуля по обе стороны обедненной области. Разность потенциалов междур - и - областями пропорциональна работе, затраченной на перемещение элементарного положительного заряда слева направо через обедненную область. Затраченная работа увеличивается по мере перемещения заряда направо через обедненную область, соответственно увеличивается разность потенциалов. [46]

При освещении неосновные носители ( дырки) притягиваются к границам электрическими полями, существующими в обедненной области, нейтрализуют ловушки и тем самым значительно понижают высоту потенциального барьера, при этом дополнительно повышается концентрация свободных электронов. Установлено, что потенциальные барьеры на границе зерен перестают влиять на проводимость поликристаллических образцов n - Si при освещении, эквивалентном однократной солнечной облученности. [47]

Вторым фактором, ограничивающим максимальное напряжение, прикладываемое к коллекторному переходу кристаллического триода, является расширение обедненной области при увеличении напряжения на переходе. При достаточно большом напряжении область обеднения настолько расширяется, что достигает эмиттерного перехода, вызывая пробой между коллекторным и эмиттерным переходами. [48]

Основное отличие МДП-структуры от контакта металл - полупроводник и р-л-перехода заключается в том, что в приповерхностной обедненной области МДП-структуры может происходить накопление неосновных носителей заряда. В структуре металл - полупроводник, так же как и в р-л-переходе, генерируемые в области объемного заряда неосновные носители заряда удаляются из этой области электрическим полем и образование инверсного слоя оказывается невозможным. [49]

При обратном смещении р-я-переходов, которое создается напряжением, приложенным между затворами и истоком или стоком, обедненные области расширяются, сужая тем самым канал. Приложение обратного напряжения соответствующей величины вызывает смыкание канала и уменьшение тока IDS до очень малой величины. Сопротивление сомкнутого канала равно тысячам мегом, и, следовательно, прибор по своим характеристикам приближается к идеальному ключу, находящемуся в разомкнутом состоянии. [50]

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления PCQ для образцов n - Si с ориентацией ( 111 при высоте энергетического барьера 0 85 ( сплошные линии и 0 40 эВ ( штриховые линии и различных концентрациях. / V легирующей примеси. [51]

Для трех различных случаев установлено следующее: 1) при очень малой толщине н - сдои чаегь обедненной области расположена в базе - типа и РСО характеризует эквивалентный контакт со структурой металл-полупроводник п-типа; 2) при толщине л - слоя хп, значительно превосходящей толщину обедненного поверхностного слоя Wj, pc0 является по существу удельным сопротивлением контакта металл-полупроводник п - типа; 3) для промежуточного случая, когда Wd, носители заряда пересекают п - слой, не рассеиваясь, и только те из них, чья энергия выше той, которая отвечает краю зоны проводимости в базе п-типа, могут участвовать в туннелировании. [52]

Заметим, что для нормального функционирования трехтактных и двухтактных систем необходимо, как уже отмечалось, перекрытие обедненных областей, находящихся под соседними затворами. В случае стандартного материала ( р - 7 5 ом см) зазор между затворами должен составлять около 3 мкм. Это обусловливает довольно высокие требования к точности изготовления фотошаблонов и фотолитографии. [53]

Влияние размера зерна иа КПД кремниевого солнечного элемента, при. а - различных толщинах поликристаллических слоев Si. б - наличии ( Л и в отсутствие ( 77 эффекта снижения высоты потенциального барьера на р - л-переходе. Символы, обозначающие экспериментальные результаты, соответствуют [ Ghosh А. К., Fishman С., Feng Т. / / J. Appl. Phys., 1980, vol. 51 ]. [54]

В модели Фоссума и Линдхольма [ Possum, Lindholm, 1980a ] учитывается влияние межкристаллитных границ в обедненной области р-п-переходов. [55]

Следует отметить, что термин переходная область в данном случае отличается от общепринятого термина в смысле синонима для обедненной области р-л-перехода. [56]

Конструк - [ IMAGE ] - 103. Характеристика [ IMAGE ] - 104. Конфигурация полевого транзистора ция канального тран - канального транзистора. с изолированным затвором и каналом п-типа. эистора. [57]

Важным параметром полевого транзистора является так называемое напряжение отсечки t / p - напряжение на затворе, при котором обедненная область перекрывает все сечение канала и ток стока падает до минимального значения, обусловленного утечками. [58]

В том случае, когда под действием соответствующего импульса напряжения инжектируются только основные носители, обратное напряжение смещения и толщина обедненной области уменьшаются. Если ( при инжекции под действием света или прямого напряжения смещения) вводятся как основные, так и неосновные носители, то отношение их концентраций определяется величиной проходящего тока. [59]

Если положительное напряжение на л-слое достаточно велико, то приповерхностные подзатворные обедненные области смыкаются ( в вертикальном направлении) с обедненной областью р-п перехода. Под каждым затвором образуется единая обедненная область, энергия электронов в которой меньше, чем в подложке и вблизи поверхности полупроводника. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5