Базовая область

Cтраница 1

Базовая область дрейфового транзистора формируется диффузионным методом, поэтому по технологическому признаку часто их называют транзисторами с диффузионной базой. При этом для получения эмиттерного и коллекторного переходов метод диффузии сочетается с любым из известных методов изготовления р-п переходов. [1]

Здесь базовая область СЭ выполнена из арсенида галлия n - типа проводимости. [2]

Внутри базовой области транзистора, изготовленного методом двойной диффузии, возникает сильное электрическое поле, обусловленное действием градиента примесной концентрации. [3]

Базовую область с неоднородным распределением примесей и переход коллектор - база получают посредством диффузии из газовой фазы в полупроводниковую пластинку, образующую коллекторную область. Затем получают переход эмиттер - база при помощи электрохимического травления и осаждения так же, как и в случае микросплавных транзисторов. Электрохимическое осаждение используется также для получения коллекторного контакта вблизи перехода коллектор - база. [4]

Базовую область 5 / ьтипа получают ионным легированием акцепторными примесями, используя ранее выращенный углубленный диоксид в качестве маски. Этот слой в дальнейшем служит источником до-норных примесей при формировании методом диффузии эмиттерной и коллекторной контактных областей л - типа. [5]

Энергетическая диаграмма полупроводникового иижекционного лазера с гетеропереходами без приложенного напряжения ( а и при прямом напряжении ( б. [6]

Базовую область такой структуры делают из полупроводника с меньшей шириной запрещенной зоны и большей диэлектрической проницаемостью, чем у эмиттерных областей. Инжектированные в базу носители заряда оказываются в потенциальных ямах. [7]

Если базовая область достаточно велика и удельное сопротивление исходного полупроводника высокое, то напряженность поля в базе оказывается достаточной для заметного разогрева электронного газа. [8]

Чем уже базовая область и чем больше диффузионная длина дырок, тем меньше коэффициент переноса отличается от единицы. [9]

Структура транзистора для БИС. а - вид сверху. б - поперечное сечение. Вертикальные размеры увеличены по сравнению с горизонтальными. [10]

В базовой области присутствуют и электроны, и дырки. Их реальное поведение достаточно сложно, и точный анализ выполняется численными методами на ЭВМ. Однако для понимания сути работы транзистора целесообразно представить физические явления с помощью аналитических методов расчета на основании использования различных аппроксимаций. При анализе работы прибора обычно используют также допущения-и приближения, которые облегчают понимание происходящих процессов. Уровень допустимых приближений зависит от того, с какой точностью требуется объяснить реальные характеристики транзистора. [11]

В базовой области устанавливаются при этом стационарные распределения неравновесных концентраций электронов и дырок. [12]

Эффективность базовой области оценивается с помощью коэффициента переноса Р, который представляет собой отношение количества дырок, достигших коллекторного перехода, к количеству дырок, инжектированных эмиттерным переходом. [13]

Толщина базовой области должна быть возможно малой. [14]

Схема - - - транзистора. Н0 и. а в области эмитте. [15]

Страницы: 1 2 3 4