Базовая область
Cтраница 2
Толщина базовой области d обычно делается намного меньше диффузионной длины Ьр, чтобы уменьшить потери на рекомбинацию. [16]
Для базовой области применяют материал с возможно большей диффузионной длиной и неосновных носителей, в результате чего уменьшается рекомбинация в объеме базы. [17]
 |
Индуктивный диод. [18] |
Электропроводность базовой области в таких диодах близка к собственной. Поэтому электрическое поле распространяется практически только в базовой области. [19]
Толщина базовой области должна быть малой для обеспечения таких параметров, как высокий статический коэффициент усиления транзистора на малых и больших токах и высокая предельная частота. С другой стороны, для обеспечения достаточно высоких рабочих напряжений во избежание прокола толщину базы желательно выбирать как можно больше в сплавных транзисторах, а в диффузионных по крайней мере обеспечивать, чтобы она была не слишком малой. Как будет рассмотрено далее, с точки зрения исключения возможности возникновения вторичного пробоя толщину базы также целесообразно увеличивать. [20]
В базовой области полупроводникового прибора с отрицательным дифференциальным сопротивлением 5-типа во включенном состоянии создается электронно-дырочная плазма, которая распространяется за пределы области, ограниченной электродами данного прибора, и создает повышенную концентрацию неравновесных носителей в прилегающих участках полупроводника. [21]
В базовой области полупроводникового прибора с отрицательным сопротивлением S-типа во включенном состоянии создается электронно-дырочная плазма, которая естественно распространяется и за пределы области между электродами данного прибора и создает повышенную концентрацию неравновесных носителей: в прилегающих участках полупроводника. [22]
 |
Зонная структура солнечных гетерофотоэлемснтов. а - структура с промежуточным варизонным слоем. б - структура с промежуточным преобразованием КВ-света в люминесцентное. [23] |
В гетеротранзисторах базовая область может быть легирована сильнее эмит-терной, что, уменьшая сопротивление базы и емкость эмиттерного перехода, повышает быстродействие. Для предотвращения инжекции дырок в коллектор, затягивающей время рассасывания, в импульсных гетеротранзисторах наряду с пгирокозонным эмиттером используется н широкозонный коллектор. В полевых транзисторах на ДГ с узкозонным каналом за счет электронного ограничения улучшаются шумовые характеристики, а шнрокозонгтый затвор улучшает управление каналом. [24]
 |
Зависимость тока включения от толщины базовой области ( с электронной проводимостью для прибора типа п-р-п-р, полученного путем диффузии примеси сквозь пленку окисла ( диаметр прибора 2 7 мм. [25] |
Так как базовая область с электронной проводимостью имеет относительно большую ширину, арпр возрастает недостаточно для того, чтобы произошло включение прибора. Однако 18 при увеличении /, через базовую область с электронной проводимостью проходит большой электронный ток и появляется поле, которое вызывает возрастание flpnp вплоть до критической величины. [26]
Например, базовая область - диффузионная, а коллектор и эмиттер - сплавные. Диффузионно-сплавные транзисторы имеют большое значение f / кэнас и малые пробивные напряжения переходов кБОпроб и ЭБО проб но у них более высокая рабочая частота, чем у сплавных приборов. Транзисторы с большими рабочими токами ( до десятков ампер) и частотой несколько десятков мегагерц получают методом сплавления - диффузии, так как этот метод позволяет создавать приборы, превосходящие сплавные по частоте. [27]
Когда имеется узкая базовая область ( Wg. Lp), на распределение дырок сильное влияние оказывает наличие близко расположенного коллекторного перехода, который находится под обратным смещением, причем qU КБ. [28]
Большая протяженность базовой области и глубокая модуляция проводимости в широкой базовой области Wn приборов с такой обычной конфигурацией, какая показана на фиг. [29]
Поэтому в базовой области остается пренебрежимо малое поле. Нескомпенсированные заряды существуют только у краев базовой области, обус-ловливая емкость слоев объемного заряда. В результате некоторые из этих электронов, движущихся от перехода / 2, компенсируют некоторое число донорных примесей, которые лишились своих электронов при образовании внутреннего контактного потенциала у перехода / 1 благодаря диффузии. [30]
Страницы: 1 2 3 4