Базовая область
Cтраница 4
Для создания базовых областей транзисторов, резисторов и диодов в изолированные области я-типа проводят диффузию акцепторных примесей. Базовую диффузию осуществляют в две стадии. В качестве примеси используют бор. [46]
 |
Расчетные формулы сопротивления базовой области транзистора. [47] |
Объемное сопротивление базовой области транзистора в сильной степени зависит от конфигурации. [48]
 |
Структурные схемы транзисторов. [49] |
Если в базовой области транзистора концентрация примесей постоянна, то перенос носителей через нее осуществляется путем диффузии. [50]
Инжектированные в базовую область электроны диффундируют в качестве неосновных носителей к коллектору. Поскольку толщина базы меньше L, то почти все электроны ( - 99 %), впрыснутые в базовую область, достигают коллектора. [51]
Контакт с базовой областью осуществляется с помощью припаянного кольца, окружающего эмиттерный переход. Кристалл помещается в герметичный корпус. В маломощных транзисторах с корпусом соединяют базовый электрод, а в более мощных - коллекторный, что способствует лучшему охлаждению коллектора. [52]
Тиристор имеет две базовые области: широкую я-типа и узкую р-типа. В соответствии с этим транзисторный эквивалент тиристора состоит из двух транзисторов: р-п - р транзистора с широкой базой и п-р - п транзистора с узкой базой. [53]
Инжектированные дырки в базовые области продолжают диффузионное движение в базе - часть из них рекомбинирует с электронами, входящими с базы в эмиттер, а остальные приближаются к коллекторному переходу. На границе этого перехода нерекомбинированные дырки попадают в зону действия поля перехода, которое оказывает на дырки ускоряющее действие. [54]
Однако, если базовая область имеет очень малое сопротивление, в ней, помимо неосновных носителей, концентрируются основные свободные носители заряда. При достаточно большой концентрации свободных носителей база начинает интенсивно поглощать свет, причем такое поглощение пропорционально квадрату длины волны и достигает больших значений при малых энергиях квантов света. Поэтому, применяя вырожденные полупроводники, нужно следить за тем, чтобы не наступило заметного поглощения на свободных носителях. [55]
Инжектированные дырки в базовые области продолжают диффузионное движение в базе - часть из них рекомбинирует с электронами, входящими с базы в эмиттер, а остальные приближаются к коллекторному переходу. На границе этого перехода нерекомбинированные дырки попадают в зону действия поля перехода, которое оказывает на дырки ускоряющее действие. [56]
Если при этом высокоомная базовая область имеет толщину, достаточную для устранения эффекта смыкания переходов ( см. § 5.1), то напряжение включения таких кремниевых тиристоров может достигать 2500 В. [57]
 |
Структура ячейки И2Л со спе - [ IMAGE ] Схема ( а и модифицированная циальным распределением примесей структура ( в ячейки И2Л со скрытым. [58] |
В этой структуре базовая область транзистора состоит из двух частей: области р и более глубокой и высокоомной наружной области, что обеспечивает меньшие напряженности тормозящего поля в базе. Сильнолегированная часть базы устраняет возможность образования инверсионного канала на ее поверхности и уменьшает инжекцию электронов через боковые стенки перехода коллектор - база. [59]
Если при этом высокоомная базовая область имеет толщину, достаточную для устранения эффекта смыкания переходов ( см. § 5.1), то напряжение включения таких кремниевых тиристоров может достигать 2500 В. [60]
Страницы: 1 2 3 4