Базовая область

Cтраница 3

Изменение толщины базовой области будем рассматривать как некоторое возмущение, наложенное на решение с фиксированными границами. [31]

Данную часть базовой области называют активной, а остальную часть, граничащую с базовым контактом или диэлектрическим слоем, - пассивной. Вблизи краев эмиттера инжектированные из него в базу электроны движутся не только в вертикальном, но и в боковых направлениях, как показано стрелками на рис. 4.4, а. Однако размеры областей транзистора в вертикальном направлении обычно много меньше, чем в горизонтальном. Влияние пассивной базы в первом приближении можно учесть, подключив во внешнюю цепь базы резистор. [32]

На толщину базовой области налагаются жесткие ограничения при необходимости получения К 100, если диффузионная дли. [33]

Четырехслойная структура ( а и ее представление в виде эквивалентной схемы из двух транзисторов с общим коллектором ( б. [34]

Падение сопротивления базовой области приводит к перераспределению напряжения между ней и р - / г-переходом и к резкому росту инжекционного тока. Сопротивление толщи падает до малых величин и структура переходит в открытое состояние. Поскольку толщина базовой области может быть взята меньше длины диффузионного смещения, то остаточное падение напряжения на ней оказывается малым. [35]

Для создания базовой области через окна проводят двух-стадийный процесс диффузии бора в кремний на глубину 4 - 4 5 мк при температуре около 1120 С. Во время диффузии идет вторичное окисление пластин, так как процесс ведется в атмосфере сухого кислорода. [36]

Модуляция проводимости базовой области при высоких плотностях тока приводит к тому, что первый член в уравнении (8.41) становится пренебрежимо малым. [37]

Повышая проводимость базовой области, удается повысить предельную температуру до 100 - 110 С. Более эффективным методом ее повышения является замена германия кремнием. У кремния ширина запрещенной зоны равна 1.12 эв, и такой прибор может успешно работать при температурах вплоть до 200 С. [38]

Положение квазиуров - тя тнпй пячногти потен-ней Ферми для электронов и дырок тактнои разности потен при наличии прямого смещения. циалов полностью нейтрализуется. Очевидно, в этом. [39]

В материале базовой области не должен поглощаться свет той длины волны, который предполагается излучать. [40]

Характеристика германиевого переключающего прибора типа р-п-р-п. Управляющий электрод присоединен к тонкой базовой области, / g 0. [41]

Влияние толщины базовой области с дырочной проводимостью на характеристику германиевого переключающего диода ( или триода) типа р-п-р-п показано на рис. 1.1. При более широкой базовой области сопротивление прибора в состоянии включено, а также ток отключения прибора имеют более высокие значения. При толщине области базы с дырочной проводимостью, равной 1 14 мм, среднее сопротивление прибора составляет 50 ом. [42]

Контакт к базовой области выполняется в виде кольца, окружающего эмиттерный переход. Материалом для базового контакта служит олово или золото с небольшим количеством донорной или акцепторной примеси в зависимости от типа проводимости материала базы. Кристалл с вплавленными в него электродами затем крепится на ножке транзистора. [43]

Контакт к базовой области выполняется в виде кольца, окружающего эмиттерный переход. Материалом для базового контакта служит олово или золото с небольшим количеством донорной или акцепторной примеси в зависимости от типа электропроводности материала базы. Кристалл с вплавленными в него электродами затем крепится на ножке транзистора. [44]

Полупроводниковый материал базовой области и базовый контакт обладают некоторым объемным омическим сопротивлением rg для тока основных носителей, протекающего по цепи базы. [45]

Страницы: 1 2 3 4