Изолированная область

Cтраница 1

Структура полупроводниковых микросхем. [1]

Изолированные области получают путем диффузии примеси я подложку с целью создания р-п-перехода. Эти области ( обычно - типа) являются либо коллекторами транзисторов, либо изолированными областями для других элементов. В качестве исходной пластины выбирают однородно легированную сравнительно ( высокоомную подложку р-типа. Планарно-диффузионяые микросхемы с резистивной иэоляедией отличакугся от рассмотренных тем, что в них элементы изолируются друг от друга с помощью высокоомиого сопротивления самой подложки, включенного последовательно с элементами ( ряс. Такая изоляция возможна пр. [2]

В этих изолированных областях - карманах - с помощью диффузии примесей ( акцепторных и затем донорных) создаются участки с электропроводностью р - и / г-типов ( рис. 2.8), которые образуют различные элементы микросхемы. [3]

В результате создаются изолированные области р-типа с удельным поверхностным сопротивлением ps 700 Ом / квадрат и глубиной залегания перехода - 6 мкм. Толщина слоя окисла на поверхности областей р-типа составляет примерно 0 5 мкм. [4]

Все скважины рассматриваемой изолированной области одновременно вводятся в эксплуатацию. [5]

После определения необходимого количества изолированных областей при разработке эскиза топологии ИМС приступают к их размещению в соответствующем порядке и соединению элементов между собой и с контактными площадками. При этом требуется получить топологический вариант принципиальной электрической схемы с минимально возможным количеством взаимных пересечений соединений и расположением контактных площадок соответственно исходным данным. Обычно задачу размещения элементов решают в два этапа. На первом этапе определяют характер размещения элементов, обеспечивающий минимум числа пересечений, а на втором этапе осуществляют привязку к конкретным геометрическим размерам. Для облегчения разработки эскиза рекомендуется вычертить принципиальную электрическую схему так, чтобы ее выводы были расположены в надлежащей последовательности. [6]

Последовательность создания БТ по модифицированному методу локальной гомоэпитаксии.| Последовательность создания ВТ по методу локальной гомоэпитаксии. [7]

Недостаток метода кристаллографическое несовершенство участков изолированных областей, примыкающих к изолирующему оксиду, что затрудняет реализацию пристеночного БТ. При этом формируются не изолированные, как в предыдущем случае, а изолирующие области, для которых кристаллографическое несовершенство несущественно. [8]

Если конструкция подсхемы в каждой изолированной области выбирается из библиотеки стандартных модулей так же, как в задаче (5.15) покрытия БИС модулями, то все параметры, участвующие в равенстве (5.29), являются известными. В тех случаях, когда конструкции отдельных подсхем неизвестны, три последние составляющие равенства (5.29) удобно оценивать в процентном соотношении к величине Si, используя статистические данные и учитывая тип каскадов проектируемой БИС. [9]

Фрагмент топологии накопителя на СТ-ЭП со структурой, как на ( Все размеры - в микрометрах. [10]

Элементы одной строки размещаются в общей изолированной области, что существенно сокращает размеры накопителя на кристалле. [11]

МДП-конденсатор в темноте ( а и при освещении ( б и его энергетические диаграммы ( в, г. [12]

В МДП-фотоварикапах используют модуляцию емкости изолированной области приповерхностного пространственного заряда при освещении. Большое входное сопротивление таких фотоемкостей определяется - сопротивлением диэлектрической прослойки. Это обеспечивает высокую добротность и достаточно низкие шумы. [13]

При разработке эскиза топологии ИМС площади изолированных областей делают как можно меньшими. Это позволяет, во-первых, реализовать на пластине большее количество ИМС и, во-вторых, уменьшить паразитные емкости переходов коллектор - подложка, влияющих на их характеристики. [14]

Некоторые другие источники света излучают в изолированных областях спектра. Примерами могут служить вакуумные трубки, содержащие газы и пары при очень низком давлении; при электрическом возбуждении они излучают линии и полосы обычно в ближней инфракрасной части, в видимой и в ближней ультрафиолетовой частях спектра. В противоположность термически возбужденным молекулам раскаленного вещества излучателя Планка, в вакуумных трубках энергию атомов и молекул в газообразном состоянии повышает электронное возбуждение. После периода возбуждения, который длится около 10 - 7 или 10 - 8 секунды, энергия атомов и молекул падает до более низких состояний, распространяя излучение, соответствующее разности энергии между более высоким и более низким состояниями. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5