Изолированная область
Cтраница 4
Начиная со второго шага, фиксируют и в дальнейшем не рассматривают те исходные классы, которые оказываются в изолированных областях пространства признаков. Например, класс 6 ( см. рис. 1) находится в такой области, и объекты этого класса однозначно классифицируются двумя ( / и / /) разделяющими по -, верхностями. [46]
Весьма перспективным методом получения таких полупроводниковых тензорезисторов является метод, основанный на способности полупроводников образовывать р-га-переходы, создавая электрически изолированные области. Для получения р-л-перехода используют диффузионный метод введения в кремний или германий примесей р или п типа ( бора, алюминия, индия, фосфора, мышьяка и др.), в результате чего на поверхности монокристалла полупроводника одного типа образуется тонкий слой полупроводника другого типа. Описанный метод особенно удобен для создания чувствительных элементов силы, давления, момента и др. При этом вместо упругого чувствительного элемента ( обладающего гистерезисом) и связующего вещества ( характеризующегося ползучестью) используют калибровочную балочку ( например, из монокристалла кремния n - типа), на поверхности которой образуется тонкий слой кремния р-типа. [47]
В следующем пункте мы обсудим ХВР, которые, хотя и не обеспечивают всю энергетику короны, но представляют элементарные и изолированные области нагрева пересоединением. Более того, то, что они в настоящий момент идентифицируются как мелкие корональные системы петель, дает возможность считать, что более крупные петли также нагреваются пересоединением. [49]
Если оба р-п - р транзистора VT3 и VT4 имеют вертикальную структуру, то их можно изготовить в одной изолированной области на кристалле, что будет способствовать уменьшению площади всего кристалла. Что касается двух п-р - п транзисторов, то для каждого из них потребуется отдельная изолированная область на кристалле. [50]
Говорить о каплях антивещества, вкрапленных в вещество, было бы неточно: при равных объемах столь же часто встречаются изолированные области ( капли) вещества, со всех сторон окруженные антивеществом. [51]
Общий критерий качества задачи компоновки БИС, при котором минимизируется площадь кристалла, оказывается равным отношению суммарной площади элементов во всех изолированных областях БИС к площади кристалла и учитывает уменьшение используемой площади БИС из-за потерь на площадях изолированных областей, а также из-за наличия изолирующей области и закраины. [52]
Как отмечалось в § 9, в собственных значениях wn, как в функциях частоты, содержится вся информация о резонансных свойствах соответствующих изолированных областей. Напомним, что, например, для граничного условия (24.2) резонанс для внутренней области наступает, когда kwn обращается в бесконечность; для внешней области в резонансных условиях kwn становится большой величиной. [53]
Рассмотрены такие вопросы, связанные с контролем доступа, как изоляция областей памяти при нарушении защиты, организация взаимных проверок и выделение изолированных областей памяти и ресурсов для решения задачи. На основе этого введено понятие модели защиты и исследован ряд таких моделей. Приведены результаты применения моделей для построения ядра систем, виртуальных машин и кодирования информации. [54]
Эти идеи приводят интуитивистов к убеждению, что нормативная этика не может основывать свои выводы на данных др. наук, а составляет совершенно изолированную область знания или постулирования. Интуитивисты придерживаются взгляда, что осн. [55]
 |
Стелларатор-G с диагностической ашхаратурой. [56] |
Разрыв в обмотке Продольного поля и включение в этом месте катушек с противоположным направлением витков позволяет разделить все пространство внутри камеры Стелларатора на две изолированные области. Нейтралы, выбитые со стенок дмвертора, имеют мало шансов на попадание обратно в камеру Стелларатора, так как апертурный угол щели дивертора мал. Экспериментально было установлено, что включение дивертора снижает уровень примесей в Стеллараторе-С ( при типичных режимах работы) в десятки раз. [57]
Как следует из короткого анализа схемы интегрального усилительного каскада на бипополярных транзисторах с динамической нагрузкой, для его реализации на кремниевом кристалле требуется несколько изолированных областей, а это существенно уменьшает степень интеграции микросхемы и в целом увеличивает площадь кристалла. [58]
Возрождения рассматривало природу в целом, в движении, развитии, теперь, в связи с углублением и дифференциацией научного знания, расчленяло ее на ряд изолированных областей, рассматриваемых вне связи друг с другом. [59]
Исследование ширины ( АН 0 5 э) и фор-мы линии в спектре электронного парамагнитного резонанса и концентрации парамагнитных частиц ( 1015 - 1020 ПМЦ / г) свидетельствует о существовании изолированных областей, в каждой из которых электроны в значительной степени делокализованы. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5