Изолированная область

Cтраница 3

В точке А переход коллектор - база входного диода закорочен; в точке Б изолированная область с резисторами соединена с наиболее положительным потенциалом; в точке В подложка соединена с наименее отрицательным потенциалом ( земля); б - топология МДП триггера: / - 4 - вход, 3 - 3 - выход. [31]

На коллектор транзистора 7 оказывает влияние входной сигнал, поэтому он должен находиться в изолированной области. Коллекторы транзисторов То и Т3 электрически соединены друг с другом и с положительным полюсом источника питания, поэтому они могут находиться водной изолированной области. Все резисторы могут быть в одной изолированной области, которая соединена с наиболее положительным потенциалом. [32]

Транзисторы, коллекторы которых присоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами. Остальные транзисторы должны быть размещены в отдельных изолированных областях, площади которых следует сводить к минимуму. [33]

Конденсатором служит емкость ( рис. 73, / /) между слоем металлизации 8 и изолированной областью 6 / / - типа, разделенными слоем оксида. [34]

Вводные замечания Процесс развития физических знаний N существенно ускоряется при установлении контактов in взаимодействия между временно изолированными областями. [35]

Один из перспективных способов изготовления полупроводниковых тензодатчиков основан на способности полупроводников образовывать р-л-переходы, создавая электрически изолированные области. [36]

Структура ( а, топология ( в и эквивалентная схема ( в с учетом паразитных связей диффузионного конденсатора.| Структура ( в и тополо-логия ( б МДП-конденсатора. [37]

Типичная структура такого конденсатора и его топология изображены на рис. 2.29. СтруктурноМДП - конденсатор состоит из изолированной области полупроводника я-типа, в которой формируется п - слой для снижения сопротивления второй обкладки конденсатора и исключения зависимости его емкости от напряжения. [38]

Физика органических полупроводников, возникшая на стыке органической химии и классической физики полупроводников, уже не представляет собой изолированную область науки. Сейчас граница между органическими и неорганическими полупроводниками в значительной мере размыта. Получила развитие физика аморфных, стеклообразных и пленочных полупроводников, для которых часто оказываются справедливыми представления о прыжковом механизме движения носителей или движении их в узких энергетических зонах, что является обычным для органических полупроводников. [39]

Схема составного п-р - п транзитора. а - принципиальная. б - эквивалентная. [40]

Однако составные интегральные транзисторы не обязательно должны создаваться в одной изолированной области, они могут формироваться в разных изолированных областях, а соединяться в составной транзистор с помощью межэлементных соединений ( металлизации), которые представляют собой алюминиевые дорожки на кристалле. [41]

Более высокое быстродействие по сравнению с п - МНОП-транзисто-рами позволяют получить n - МНОП-транзисторы, формируемые в изолированных областях р-типа. [42]

Если i - 0 25z ift, то светящаяся зона отделяется от анода я может существовать в виде изолированной области приблизительно сферической формы где-то между катодом и анодом. Этот вид разряда иногда называют светящимся шаром; он представляет особый интерес, поскольку общее падение напряжения на разряде может быть значительно ниже потенциала ионизации газа и даже принимать отрицательные значения. Потенциал же плазменного шара выше потенциала и катода и анода, но совсем необязательно выше потенциала катода на величину потенциала ионизации. Объяснить в этом случае процесс ионизации оказывается довольно трудно. Делались предположения, что ионизация происходит путем кумулятивных процессов. [43]

Участок кремниевой ИС с МДП-транзистором на сапфировой подложке. [44]

МДП-тран-зистора; S - металлизация затвора МДП-транзи-стора; / - изолированные участки кремния; 8 - промежуток между изолированными областями, получаемый вытравливанием кремния. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5