Изолированная область

Cтраница 2

В качестверезистивного слоя в полупроводниковых ИМС используется изолированная область полупроводника, которая создается одновременно с какой-либо частью транзистора. Чаще всего применяется слой полупроводника, полученный одновременно с базой транзистора. Структура такого резистора изображена на рис. 2.23, а. [16]

После окончания пятого этапа удельное поверхностное сопротивление изолированной области р-типа равно ps350 Ом / квадрат, а глубина перехода - 7 мкм. Области стока - истока транзисторов с каналами р-типа имеют удельное поверхностное сопротивление PS-90-100 Ом / квадрат и глубину перехода - 2 мкм, а области истока-стока транзисторов с каналами n - типа соответственно 12 - 13 Ом / квадрат и - 2 мкм. [17]

Важнейшим этапом изготовления КМДП-ИМС является создание с помощью диффузии изолированных областей р-типа для последующего формирования в них МДП-транзисторов с каналами га-типа. Диффузию следует проводить на большую глубину и с очень высокой точностью при использовании малой концентрации легирующей примеси, так как от концентрации примесей зависят пороговое и пробивное напряжения МДП-транзисторов с каналами n - типа. Поверхностная концентрация диффундирующей примеси и поверхностная плотность зарядов в окисле QOK под затворами определяют соотношение между напряжениями транзисторов с каналами р - и - типов. Увеличение плотности QOK может уменьшить пороговое напряжение для транзисторов с каналом n - типа и одновременно увеличить его для транзисторов с каналом р-типа. Поэтому величины пороговых напряжений транзисторов этих двух типов очень трудно согласовать. [18]

Для уменьшения токов утечки и увеличения пробивных напряжений между изолированными областями наряду с разделительной диффузией / - типа часто применяется диффузия меньшей концентрации р-тапа, с помощью которой создаются базы п-р - п транзисторов. Реализуются также р-п - р транзисторы с выводом коллектора на подложку. [19]

Для создания базовых областей транзисторов, резисторов и диодов в изолированные области я-типа проводят диффузию акцепторных примесей. Базовую диффузию осуществляют в две стадии. В качестве примеси используют бор. [20]

Схема составного п-р - п транзитора. а - принципиальная. б - эквивалентная. [21]

Однако составные интегральные транзисторы не обязательно должны создаваться в одной изолированной области, они могут формироваться в разных изолированных областях, а соединяться в составной транзистор с помощью межэлементных соединений ( металлизации), которые представляют собой алюминиевые дорожки на кристалле. [22]

Транзистор биполярной ИС с комбинированной изоляцией. 1 - область эмиттера п - типа, 2 - область базы р-ти-па, 3 - область коллектора / 7-типа, 4 - локально выращенный толстый оксид, 5 - изолирующий р-п-переход, 6 - металлизации. [23]

Преимущество комбинированной изоляции по сравнению с изоляцией р-л-переходом - уменьшенные площади изолированных областей и, как следствие, повышенные степень интеграции и быстродействие. [24]

В двухпластовом потоке ( см. рис. 46) для скважины в круговой изолированной области радиуса г выводы расчетных зависимостей приведены в прил. [25]

Транзисторы с параллельно включенными переходами коллектор - база могут размещаться внутри одной изолированной области. Если транзисторы работают в режиме эмиттерного повторителя, то их можно располагать в изолированной области вместе с резисторами. [26]

Стационарная вращающаяся черная дыра является аксиально-симметричной. Иллюстрация к доказательству теоремы Хокинга. [27]

Эта теорема справедлива и в тех случаях, когда метрика неаналитична в изолированных областях вне горизонта. [28]

Уменьшение паразитной емкости между контактными площадками и подложкой может быть достигнуто путем создания изолированной области под каждой из контактных площадок. [29]

Электрические схемы некоторых логических элементов.| Топология ИМС. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5