Образование - кристаллические зародыш
Cтраница 1
 |
Схема роста двухмерного зародыша ( В. В. Скорчелетти. [1] |
Образование кристаллических зародышей, особенно на чужеродной поверхности катода, всегда сопряжено с затратами некоторой работы, необходимой для преодоления указанных выше кристаллизационных затруднений. [2]
Образование кристаллических зародышей замедляется [130] в присутствии примесей, которые повышают вязкость раствора или избирательно адсорбируются на частицах кристаллизующегося вещества. Наоборот, те примеси, которые образуют с растворенным веществом, например, растворимое соединение или способствуют увеличению удельной поверхностной энергии [131, 132], ускоряют образование центров кристаллизации. [3]
Для образования кристаллических зародышей недостаточно сближения ионов, образующих частицу малорастворимого вещества, до нужных расстояний, необходима их правильная ориентация, соответствующая кристаллической решетке вещества. [4]
Для образования кристаллических зародышей важно, чтобы не только произошло сближение молекул до нужных расстояний, но и их ориентация должна дать правильную конфигурацию атомов, соответствующую кристаллической решетке вещества. [5]
Процесс образования кристаллических зародышей в принципе близок к процессам образования капель жидкости в переохлажденном паре. [6]
Реакции образования твердых кристаллических зародышей на чужеродной подложке подчиняются в принципе тем же закономерностям, что и образование некристаллических зародышей. Специфическими особенностями кристаллических зародышей являются: а) значительно более высокие значения и. [7]
При образовании кристаллических зародышей сахарозы в растворах значения ехр ( - ДОд / йГ) и gk очень малы и, следовательно, характеристическое время т велико. Было найдено, что при 0 С [39] проходит более 100 час. [8]
Поэтому скорость образования кристаллических зародышей с понижением температуры проходит через максимум. [9]
Затруднения при образовании кристаллических зародышей - не единственный фактор, влияющий на скорость кристаллизации, хотя изучен он был раньше других. Быстрый рост кристаллов при пересыщениях, меньших, чем рассчитанные на основании точной теории образования зародышей, заставил искать возможности обходных путей кристаллизации. Действительно, сравнительно недавно было обнаружено, что некоторые минералы имеют спиральную симметрию и что при наличии некоторых нарушений или сдвигов в кристаллической решетке кристаллизация некоторых солей сопровождается спиральными движениями ступени роста. Бюргере и другие авторы [27-29] теоретически показали, что представления о сдвиговой дислокации в кристаллической решетке объясняют возможность спирального роста граней кристаллов, при котором он может происходить непрерывно, без образования двухмерных зародышей. [10]
 |
Схема кристаллизации. [11] |
Она начинается с образования кристаллических зародышей и продолжается в процессе роста их числа и размеров. Пока образовавшиеся кристаллы растут свободно, они имеют более или менее правильную геометрическую форму. Однако, при столкновении их правильная форма нарушается, так как в этих участках рост граней прекращается. Рост продолжается только в тех направлениях, где. В результате образуется структура с кристаллами неправильной формы - зернами или кристаллитами. [12]
 |
Зависимость числа образующихся кристаллов от напряжения на электродах. [13] |
Так как для образования кристаллических зародышей требуется более высокое перенапряжение, чем для продолжения их роста, то можно сказать, что условия электролиза, способ ствующие повышению перенапряжения или катодной поляриза ции, будут обеспечивать получение мелкозернистых осадков на катоде. Из этого также следует, что факторы, влияющие на катодную поляризацию, должны соответственным образом изменять и структуру осадков. [14]
 |
Растворимость гипса в воде. [15] |
Страницы: 1 2 3 4