Образование - кристаллические зародыш
Cтраница 3
 |
Влияние степени молекулярной ориентации, опре - Прямыми исследованиями структуры деляемой по величине двулуче. [31] |
Однако дальнейшему упорядочению и образованию устойчивых кристаллических зародышей препятствует дезориентирующее влияние интенсивного теплового движения. При понижении температуры дезориентирующее влияние теплового движения уменьшается. Однако при слишком быстром охлаждении процесс кристаллизации, связанный с необходимостью кооперативного перемещения пачек цепных молекул, наталкивается на препятствие; это препятствие - быстро возрастающая вязкость. Поэтому при быстром охлаждении структура кристаллических полимеров в блоке ( например, полиэтилена) оказывается преимущественно ламелярной. Дальнейшая укладка образующихся ламелей в сферолиты проходить не успевает. [32]
Возможен процесс кристаллизации и без образования кристаллических зародышей. Он происходит при низкой поляризации на участках поверхности электрода, имеющих винтовые дислокации, которые и служат местом роста кристалла. [33]
Лимитирующей стадией процесса диссоциации является образование кристаллических зародышей СаО [15], что, в свою очередь, зависит от скорости диффузии ионов. [34]
 |
Влияние азота на гидратообразование сжиженных газов. [35] |
Гиббс [3] указал, что образование кристаллических зародышей происходит при переходе системы из метастабильного состояния в устойчивое. Известно, что в метастабильном состоянии данная фаза может существовать без всяких изменений, пока в ней не появится зародыш другой фазы, например центр кристаллизации в переохлажденной жидкости или в перенасыщенном растворе. [36]
При малом пересыщении раствора скорость образования кристаллических зародышей практически равна нулю, однако по мере увеличения пересыщения устойчивость системы резко падает, и скорость образования зародышей очень быстро возрастает. [37]
При малых значениях а процесс образования кристаллических зародышей отличается большой продолжительностью и составляет так называемый скрытый, или индукционный, период процесса кристаллизации. [38]
Количественные измерения, относящиеся к образованию кристаллических зародышей из пара, отсутствуют; впрочем, сравнение их с теорией в настоящее время невозможно и вследствие недостаточности знаний о свободной поверхностной энергии. [39]
 |
Спиральный рост гра - кристалла не всегда требуется значительное пересыщение, благоприятствующее образованию новых зародышей. [40] |
Таким образом, необходимым условием для образования кристаллических зародышей при электроосаждении металлов является более высокое перенапряжение, чем то, которое требуется для их роста. [41]
Построение физической картины влияния МП на образование кристаллических зародышей и на формирование кристаллических образований, на наш взгляд, требует не только термодинамического рассмотрения, но и учета кинетических факторов, способствующих образованию стабильных структур при наличии энергетически более выгодных возможностей. В связи с этим определяющее значе-аие имеют магнито-гидростатические аспекты рассматриваемого явления с учетом термодинамических и структур-яых факторов, связанных с фазовым превращением в системе. Теория о влиянии МП на кристаллизацию, построения на такой основе, представляет приложение магнитной идродинамики сплошных сред к процессам кристаллизации. Такой подход вполне приемлем и для кристаллизации из шстворов. В настоящее время экспериментально установ - 1ено, что некоторые насыщенные растворы обладают всеми: арактерными свойствами металлов. [42]
 |
Схема кристаллизации металла. [43] |
К - Чернов, начинается с образования кристаллических зародышей ( центров кристаллизации) и продолжается в процессе роста их числа и размеров. [44]
 |
Зависимость между степенью карбонизации раствора и температурой, обеспечивающей наибольшую скорость поглощения СОз. [45] |
Страницы: 1 2 3 4