Образование - переход
Cтраница 1
Образование р-п перехода у плоскостных контактов между полупроводником и металлом объясняется на основе предположения о наличии очень большого количества игольчатых переходов между плоскостями полупроводника и металла, каждый из которых действует аналогично рассмотренным выше точечным контактам. [1]
Образование р-п перехода связано с возникновением объемных зарядов Q, создаваемых неподвижными ионизованными атомами примесей. Приложенное к переходу внешнее напряжение изменяет величину объемного заряда в переходе. [2]
Для образования перехода прикасаются металлической заостренной проволокой к очищенной поверхности пластинки германия. При этом находят точку, дающую лучшие выпрямляющие свойства, и механически закрепляют иглу в выбранном месте. Затем для получения электронно-дырочного перехода производят формовку, которая заключается в пропускании через контакт металла с полупроводником больших ( до несколько ампер) импульсов тока. [3]
Для образования переходов в кремнии путем диффузии в качестве акцепторной примеси применяют бор, алюминий и галлий, а в качестве донорной примеси - фосфор, мышьяк и сурьму. [4]
 |
Сближение двух образцов примесных полупроводников различного типа электропроводности при N, Nli.| Образование р-п перехода. [5] |
Рассмотрим образование р-п перехода при равновесной концентрации носителей. Допустим, что имеется два примесных полупроводника ( рис. 3.4), один n - типа, другой р-типа проводимости. Сблизим их до непосредственного контакта одного с другим. [6]
 |
Конструкция сплавного транзистора.| Конструкция поверхностно-барьерного транзистора.| Конструкция диффузионно-сплавного транзистора. [7] |
Механизм образования р-п переходов у таких транзисторов и у точечных сходен. Поверхностно-барьерные транзисторы получают на частоты до 60 - 80 Мгц. [8]
Процессы образования р-п перехода в первом и втором случаях совершенно аналогичны. Отметим, что электрод, вплавляемый в полупроводниковый материал, иногда содержит не примеси элементов III или V группы, а состоит целиком из элемента одной из этих групп. Широко применяются сплавы как двухкомпо-нентные, так и трех - и четырехкомпонентные. [9]
Различные методы образования переходов, основанные на простой кристаллизации, дают возможность в довольно широких пределах управлять концентрацией примеси в полупроводнике и характером ее распределения. Однако каждый метод имеет свои ограничения. Например, при получении п-р - п ( или р-п - р) структур путем последовательного легирования расплава при вытягивании монокристалла нельзя изготовить два перехода с одинаковым распределением примеси, так как примесь вводится для каждого перехода. Следует отметить, что скорость перемешивания примеси в расплаве серьезно ограничивает надлежащее распределение примеси, что особенно очевидно, когда желательно получить тонкие р - или п-слои. [10]
В процессе образования переходов за счет сплавления германия с золотом получается омический базовый контакт, а никелевые вывода припаиваются к эмиттеру и коллектору. Применение никеля и золота объясняется не только тем, что они образуют соответствующие сплавы с другими деталями прибора, но и тем, что они не поддаются травлению при последующей обработке. [11]
В процессе образования перехода энергии Ферми в металлах изменяются. Металл с большей энергией Ферми заряжается положительно, и, следовательно, работа выхода из этого металла увеличивается. В состоянии равновесия энергии Ферми в обоих металлах становятся равными. [12]
 |
Схематическое изображение транзистора.| Устройство сплавного транзистора. / эмиттер, 2 коллектор, 3 - база.| Упрощенная схема изготовления транзистора методом диффузии. [13] |
Широко распространенным методом образования р-п переходов является метод вплавления. [14]
 |
Диаграмма состояний кремний - алюминий. [15] |
Страницы: 1 2 3 4