Cтраница 4
Катализаторы кислородного электрода топливных элементов на основе окислов металлов переменной валентности и окислов щелочных и других металлов являются весьма перспективными для широкого использования. Исследованы каталитические, полупроводниковые и коррозионные свойства систем типа СиО - Li. Изучены механизм и энергия активации образования дырочного перехода и каталитического процесса окисления. Рассмотрены вопросы подвижности кислорода и механизма его внедрения в твердые растворы, термическая диссоциация дырочных комплексов, хемосорбция кислорода, поверхностная электропроводность и каталитическая активность окисных. [46]
Из сказанного понятно, что основные носители в объеме полупроводника и в инверсионном слое на поверхности имеют противоположный знак. Так, в разобранном выше примере основными носителями в объеме кристалла являются дырки, а основными носителями на поверхности - свободные электроны. Отсюда следует, что потенциальный барьер в слое пространственного заряда полупроводника соответствует образованию р-п перехода. Поскольку термодинамическая концентрация носителей заряда на контактной поверхности полупроводника близка к единице, то потенциальный барьер между этой поверхностью и металлом практически отсутствует. Поэтому в рассмотренном случае, так же как и в предыдущем, на границе раздела образуется потенциальный барьер простейшей формы. Вольт-амперная характеристика этого барьера совпадает с вольт-амперной характеристикой р-п перехода. Из диаграммы видно, что равновесная высота потенциального барьера, расположенного в слое пространственного заряда полупроводника, равна расстоянию между уровнем электрохимического потенциала 3 и уровнем наиболее удаленной от него зоны ( проводимости или валентной) в объеме полупроводника. [47]
Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область называется эмиттером, другая - коллектором. Расстояние между, ними очень мало - порядка нескольких микрометров. Следовательно, область базы представляет собой очень тонкий слой. Кроме того, концентрация атомов примеси в области базы незначительна - во много раз меньше, чем в эмиттере. Это является важнейшим условием работы транзистора. Конструктивно транзисторы различаются в зависимости от мощности и метода образования р-п переходов. [48]
С помощью понятия средней скорости диффузии отсюда сразу получается экспоненциальная зависимость концентрации от расстояния до границы раздела между р - и - областями. Вообще говоря, т в ( 69.1 а) может несколько различаться для электронов и дырок. Аналогично несколько различается и скорость спадания концентрации электронов и дырок по разные стороны от границы. В чистом германии при комнатной температуре значение т составляет несколько тысячных долей секунды. Это приводит к заключению, что ширина перехода имеет порядок микрометра. При наличии примесей эта величина уменьшается и может быть сделана чрезвычайно малой при достаточно большой концентрации примесных атомов. Она уменьшается обратно пропорционально концентрации примесных атомов. Заряд, который перетекает из одной области в другую при образовании перехода, очень мал. Поэтому разность потенциалов, возникающая на переходе и выравнивающая энергии Ферми по разные стороны перехода, имеет порядок 1 В. [49]