Образование - переход
Cтраница 2
Рассмотрим теперь механизм образования р-я перехода при вплавлении алюминиевого столбика в кристалл кремния с проводимостью л-типа. [16]
Выше мы описали механизм образования р-п перехода методом сплавления, но для получения р-п перехода в реальных условиях необходимо учитывать очень многие факторы, усложняющие этот процесс. Речь идет о требованиях к чистоте сплавляемых материалов и окружающей среды и требованиях, предъявляемых к вплавляемым материалам, учитывающих работоспособность будущего прибора и взаимосвязь режимов вплавления с предыдущими и последующими операциями. [17]
Последующий прогрев приводит к образованию перехода с постепенным изменением коэффициента термического расширения. Такие импрегнированные спаи используются для соединения кварца с металлами типа ковара или вольфрама, а также для переходов с одного типа стекла на другой. [18]
Наиболее полезными примесями при образовании переходов в германии и кремнии путем диффузии являются: в качестве акцептора - бор, алюминий, галлий и индий, в качестве донора - фосфор, мышьяк, сурьма и висмут. Эти примеси могут применяться в виде паров или пленок на поверхности полупроводника. [19]
В качестве донорной примеси для образования га-эмиттерного перехода применяется, как правило, фосфор. [20]
Рассмотрим объекты, связанные с образованием перехода. Утверждение технологии определяет совместность следующих объектов: обрабатываемая поверхность, станок, инструмент, режим резания. При этом обрабатываемая поверхность предопределяет станок и инструмент. Ниже сформулирован ряд утверждений. [21]
Травление, устраняющее нарушения поверхности, способствует образованию перехода при формовке. [22]
 |
Влияние поверхостного заряда на свойства. [23] |
На рис. 2 - 10 а показана схема образования р-п перехода в кристалле полупроводника n - типа, на поверхности которого образовался обогащенный слой. Такая картина соответствует положительному заряду на поверхности. Ширина слоя объемного заряда в переходе ( ширина перехода) зависит от концентрации носителей заряда в - области и становится меньше, если концентрация увеличивается. [24]
 |
Конструкция маломощного плоскостного транзистора. [25] |
Конструктивно транзи сторы различаются в зависимости от мощности и метода образования р-п перехода. [26]
Однако в этом случае не обязательно, чтобы в результате диффузии происходило образование р-п перехода. [27]
Для построения моделей - различных речевых сигна - лов в память машины вводятся не только основные эталонные спектральные характеристики, по запоминаются и правила образования межфонемных переходов. [28]
 |
Схема слоистой структуры 4. [29] |
Как видно из рисунка, после сплавления пирога в кремнии п-типа образуется р - п переход ( процесс образования р - п перехода не отличается в этом случае от процесса образования перехода при вплавлении в Si столбика А1), а в кремнии р-типа образуется область р с повышенной проводимостью. [30]
Страницы: 1 2 3 4