Образование - переход
Cтраница 3
Преимущество метода, благодаря которому он широко применяется как в СССР, так и за рубежом, состоит в том, что процессы изготовления слоев МПП отделены от заключительных операций склеивания слоев и образования межслойных переходов. Это позволяет параллельно изготовлять проводящие слои, что значительно сокращает технологический цикл. [31]
 |
Упрощение формы литых деталей. [32] |
Кронштейн, изображенный на рис. 84, а имеет неоправдано сложную конфигурацию профиля и поперечного - сечения. Образование переходов между сечениями сложно; выдержать одинаковые переходы в модели и стержневом ящике трудно, поэтому неизбежна разностенность отливки. В целесообразной конструкции 6 сечениям придана простая прямоугольная форма. [33]
При заряде аккумулятора в начале второй ступени в результате окисления токоотвода положительного электрода до AgO между ним и электродом, окисленным до Ag2O, образуется электронно-дырочный переход. По мере образования р-п перехода сопротивление электрода растет. [34]
Исходным материалом для изготовления двухбазового диода служит электронный германий с сопротивлением 15 - - 20 ом-см На отшлифованную, протравленную и промытую пластину размерами 1X4X0 3 мм приплавляют три омических контакта базы на основе олова и делают р-п переход на основе индия. При-плавление контактов и образование перехода происходит аналогично этим процессам при изготовлении сплавных транзисторов. Получается элемент, показанный на рис. 4.1 а. Входная вольтамперная характеристика прибора имеет вид рис. 4.1 в. Обратная ветвь характеристики обусловлена температурным обратным током перехода, смещенного в запорном направлении. [35]
Вследствие высокой концентрации примесей уровень Ферми в акцепторной р-области располагается внутри валентной зоны, а в донорной п-области - внутри зоны проводимости. Границы энергетических зон при образовании р-п перехода располагаются так, что потолок валентной зоны р-области см ещается выше дна зоны проводимости n - области; области кристалла разделяются узким запирающим слоем, обеспечивающим туннельные переходы между электронами. [36]
 |
Примеси, образующие переходы, для диффузии и ионного легирования. [37] |
Термин диффузия применяется для описания процесса перемещения примесей из областей высокой концентрации на выходном конце диффузионной печи в области низкой концентрации в кремниевой пластине. Диффузия представляет собой наиболее признанный метод образования переходов. [38]
Все перечисленные типы накипных слоевищ являются однообразнонакипными, ибо они одинаковы по своему строению как в центральной, так н в краевой части слоевища. Дальнейшее усложнение в структуре накипных лишайников происходит путем образования переходов к листоватым формам. Особенно часто такие переходы можно наблюдать у ареолированных слоевищ. В этих случаях ареолы, расположенные по периферии лишайника, сильно вытягиваются в радиальном направлении и образуют по краям листовидные лопасти. [39]
Материалом для выполнения невыпрямляющего контакта обычно служит олово или золото с небольшим количеством донорной примеси для контакта с электронным полупроводником или акцепторной - для контакта с дырочным полупроводником. При изготовлении сплавных кремниевых приборов в качестве материала для образования переходов на кремний n - типа используется алюминий. [40]
 |
Тонкопленочный квантовый магнитометр. [41] |
Специалистами США ( 1973 г.) разработан туннельный диод на основе арсенида галлия с использованием свинца в качестве электрода см. гл. При охлаждении диода ниже Тс - 7 23 К свинец приобретает свойство сверхпроводимости, что приводит к образованию сверхпроводящего полупроводникового перехода. [42]
Теперь мы видим, как взаимосвязаны в общем рисунке фотоизображения линия, свет и тон: изучая световую палитру, мы постоянно связывали раскладку светотени с образованием светотональных переходов как следствием нашего управления световыми потоками; занимаясь сейчас тональным решением кадра, мы неизбежно возращаемся к освещению, ибо понимаем, что тон в фотографии в большой степени есть порождение света; раньше мы установили также, что линия в фотографии чаще всего выступает как линия раздела двух соседствующих тонов. И в учебном процессе лишь в методических целях ( причем временно. [43]
Кремниевые точечные диоды в конструктивном отношении почти не отличаются от германиевых. Для их изготовления используют кремний с электропроводностью n - типа с удельным сопротивлением 3 - 8 Ом - см. Контактная пружина покрывается алюминием, что обеспечивает после формовки образование высококачественного атектронно-дырочного перехода. [44]
При изготовлении сплавных транзисторов температура процесса выбирается исходя из того, чтобы обеспечить хорошее смачивание и сохранить в полупроводнике достаточно большое время жизни неосновных носителей заряда. При создании сплавно-диффузионных транзисторов не требуется обеспечивать сохранение такого времени жизни в полупроводнике, какое требуется для сплавных транзисторов ( так как толщина базы в этих приборах очень мала), а надо температуру сплавления-диффузии выбирать высокой, для того чтобы достаточно быстро произошло образование переходов на требуемом расстоянии от фронта вплавления. [45]
Страницы: 1 2 3 4