Образование - дефектная структура
Cтраница 1
 |
Образование точечных дефектных структур. [1] |
Образование дефектных структур следует учитывать при исследовании физических свойств твердых фаз. Точечные дефекты по Шотки образуются в результате переползания атомов при нагревании тел на поверхность кристалла. [2]
Образования дефектных структур изучаются в химической термодинамике, теории кристаллической решетки и химической кинетике. В этой главе мы рассмотрим лишь геометрическую модель распределения дефектов. [3]
Образование дефектных структур изучается в химической термодинамике, теории кристаллической решетки и химической кинетике. В этой главе мы рассмотрим лишь геометрическую модель распределения дефектов. [4]
Кристаллохимические уравнения образования дефектных структур, особенно полупроводников. [5]
Кристаллохимические уравнения образования дефектных структур, особенно полупроводников. Кристаллохимические уравнения реакции должны, как и химические уравнения, точно определить состав реагирующих химических компонентов и фаз в весовых, грамм-атомных и молярных %; объемы реагирующих газовых фаз ( на базе закона Авогадро); энтальпии ( и свободные энергии) реакции. [6]
Описанный характер движения массы в ленточном прессе и обусловливает образование дефектной структуры в изделиях - возникновение эллиптических и S-об-разных трещин. [7]
Изоморфное замещение с изменением числа атомов в структуре ( с образованием дефектных структур, в частности структур вычитания) также широко распространено в минералах, особенно среди сульфидов. Весьма важной характеристикой является степень совершенства И. Решающее значение при этом имеет выявление и правильная интерпретация факторов ( критериев) изоморфного взаимного замещения атомов в кристаллах. [8]
 |
Рентгенограммы полимерных озонидов. [9] |
При озонировании циклогексена малая вязкость среды и отсутствие реакций, приводящих к образованию дефектных структур, способствуют получению полимерного озонида регулярной структуры, который хорошо кристаллизуется. При озонировании полимеров эти условия не соблюдаются и получаются некристаллизующиеся озониды нерегулярного строения. [10]
Бром в силу большей химической активности, чем индий, при внедрении в решетку способствует образованию более дефектной структуры кристалла. С понижением температуры роль колебаний решетки уменьшается, и в легированном полупроводнике рассеяние носителей будет происходить в основном на примесных центрах. [11]
Еще Вассерман [5,6], анализируя лауэграммы циклированного Fe-Ni аустенита, обнаружил существенное размытие лауэ-рефлексов после у а-у перехода и объяснил этот эффект образованием более дефектной структуры у-фазы. [12]
Хотя структура указанных твердых растворов не определена, все же несомненно, что здесь мы встречаемся, как и в других изоморфных сериях, с гетеровалентным изоморфизмом и образованием дефектных структур. [13]
Сильные изменения свойств кварца, тридимита, кристобалита и стеклообразного кремнезема после облучения нейтронами ( Primak, Fuchs, Day, 1955; Sosman, 1955), возможно, также связаны с образованием дефектных структур. [14]
В образующуюся при этом вакансию перемещаются атомы из нижележащих узлов. Схематически образование дефектной структуры по Шотки показано на рис. 71, а. Линия аа схематически обозначает поверхность кристалла. Переползание атомов из объема кристалла на поверхность показано стрелками. При нагревании в случае образования дефектов по Шотки вакансии переползают внутрь объема кристалла. Охлаждение сопровождается обратным перемещением вакансий из объема кристалла на поверхность. Атомы в структурах по Шотки всегда остаются в узлах кристаллической решетки, не смещаясь в междуузлия. [15]
Страницы: 1 2