Образование - центр - кристаллизация
Cтраница 1
Образование центров кристаллизации по пятому методу зависит от конструкции кристаллизатора и скорости, при которой ведется процесс. Целесообразно подавлять возникновение кристаллов по этому механизму путем понижения локальных изменений температуры или концентрации раствора. [1]
Образование центров кристаллизации представляет интерес только на начальной стадии аддуктообразования и в том случае, если необходим продукт с определенными размерами кристалла. Процесс роста кристаллов обычно не определяет суммарных скоростей реакции, не влияет на избирательность процесса и имеет небольшое значение при непрерывном осуществлении процесса. [2]
Образование центров кристаллизации происходит в пересыщенном растворе; возникающие мельчайшие частицы способны расти и превращаться в крупные. Этот процесс имеет жизненно важное значение для многих аспектов таких наук, как метеорология, физиология, металлургия и химия; в аналитической химии понимание этого процесса особенно важно. Контролируя процесс образования центров кристаллизации, химик-аналитик в какой-то степени может управлять физическими свойствами образующихся осадков и даже их химическим составом. Вопрос о том, как именно происходит образование центров кристаллизации, необычайно труден для экспериментального изучения [1-7], поэтому возникает множество умозрительных заключений, дискуссий, интерпретирующих гипотез - типичная ситуация, обусловленная скудостью надежных экспериментальных данных. [3]
Образование центров кристаллизации в условиях пересыщения может происходить и в отсутствие магнитного поля - под влиянием затравок, при интенсивном перемешивании, под действием ультразвука и пр. [4]
Образование центров кристаллизации в самой жидкости облегчается, конечно, с понижением температуры. [5]
Образование центров кристаллизации - это процесс объединения некоторого минимального числа ионов или молекул ( может быть, всего четырех-пяти) с образованием устойчивой второй фазы. Дальнейшее осаждение может осуществляться либо путем образования новых центров, либо путем отложения осадка на уже сформировавшихся зародышах кристаллов. Если осаждение идет преимущественно по первому пути, получается осадок, состоящий из большого числа мелких частиц; если доминирует процесс роста, образуется меньшее число крупных частиц. [6]
Образование центров кристаллизации требует преодоления достаточно высокого энергетического барьера. [7]
Образование центров кристаллизации в условиях пересыщения может происходить и в отсутствие магнитного поля - под влиянием затравок, при интенсивном перемешивании, под действием ультразвука и пр. [8]
Образование центров кристаллизации в самой жидкости облегчается, конечно, с понижением температуры. [9]
Образование центров кристаллизации аналогично образованию пар, а поэтому такой процесс должен подчиняться аналогичным кинетическим законам. [10]
 |
Кривые нагревания и охлаждения металлов.| Схема кристаллизации металлов ( вещества. [11] |
Образование центров кристаллизации и рост кристаллов вокруг этих центров происходят одновременно в течение всего периода отвердевания металла. [12]
Образование центра кристаллизации кальцита на неоднородной поверхности предлагается в качестве ступени, лимитирующей скорость кристаллизации. Ионный обмен изменяет скорость кристаллизации, потому что с изменением растворимости твердого вещества меняется степень пересыщения раствора, тогда как следовое ингибирование, найденное для иона магния в этом исследовании, изменяет скорость реакции осаждения карбоната кальция, снижая константу скорости. [13]
 |
Скорость зарождения дентров ( с. з. ц. эвтектоидных зерен углеродистой стали У8 в зависимости от степени переохлаждения после нагрева до 850. [14] |
Образование центров кристаллизации новой фазы оказывается возможным вследствие флуктуационных процессов в системе. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5