Образование - центр - кристаллизация
Cтраница 3
Механизм образования центров кристаллизации под влиянием соответствующих солей металлов еще не выяснен, однако установлено, что агенты, вызывающие образование зародышей кристаллов, должны обладать необходимыми молекулярными размерами, стереохимической структурой и полярностью; это, по-видимому, обеспечивает более благоприятный режим кристаллизации и более совершенную микроструктуру полимера. Некоторые полимеры при достаточно быстром охлаждении могут быть получены в аморфном состоянии, например изо-тактический полистирол, полиэтилентерефталат и др., однако полиэтилен нельзя получить полностью в аморфном состоянии. Полипропилен имеет больший период идентичности, и поэтому он может получаться с менее совершенной смектической структурой. [31]
Скорость образования центров кристаллизации аустенита зависит от измельченности частиц цементита в перлите и от формы этих частиц. В тонкопластинчатом перлите возникновение центров кристаллизации аустенита идет гораздо быстрее, чем в крупнопластинчатом. [32]
При образовании центров кристаллизации имеет место в основном та же, но еще более сложная ситуация. Если центр кристаллизации данного размера растет, то это может происходить лишь при одновременной частичной дегидратации присоединяющихся ионов или ионов, уже находящихся в центре кристаллизации. [33]
 |
Зависимость диаметра d отрывающихся пузырьков от потенциала ртутного электрода. [34] |
Флейшману, образование центров кристаллизации из промежуточного соединения ( не обязательно растворимого) происходит непосредственно на поверхности электрода. [35]
 |
Зависимость диаметра d отрывающихся пузырьков от потенциала ртутного электрода. [36] |
Флейшману, образование центров кристаллизации из промежуточного соединения ( не обязательно растворимого) происходит непосредственно на поверхности электрода. [37]
Самопроизвольное и стимулированное образование центров кристаллизации. Введение частичек осадка в раствор, пересыщенный твердым веществом, может инициировать дальнейшее осаждение. В общем, любые твердые частички ( и другой природы) или поверхности могут служить местом образования центров кристаллизации. Такой поверхностью, в частности, может служить внутренняя поверхность сосуда, в котором происходит осаждение. Это подтверждается тем, что размер частиц осадка подчас сильно зависит от типа сосуда, его чистоты и шероховатости его внутренней поверхности. Нерастворимые частицы в реагентах и в растворителе также являются местами образования центров кристаллизации. Химически чистые реактивы обычно содержат от 0 005 до 0 010 % нерастворимых веществ, которые и создают большое число мест для образования центров кристаллизации. [38]
Поэтому скорость образования центров кристаллизации сильно зависит от перенапряжения. [39]
 |
Оптимальная температура кристаллизации различных веществ. [40] |
Как скорость образования центров кристаллизации, так и скорость роста кристаллов также в значительной степени зависят от температуры, ч Изучение скорости кристаллизации расплавленных органических веществ показало, что в каждом отдельном случае существует определенная оптимальная температура, при которой наблюдается образование максимального числа центров кристаллизации. Эта температура обычно ниже температуры плавления вещества. Как видно из табл. 40, такое различие может быть очень значительным. [41]
 |
Скорость роста кристаллов в ситаллах. в функции температуры при каталитической кристаллизации. [42] |
Необходимой предпосылкой образования центров кристаллизации является склонность стекла к расслоению на две стекловидные фазы. [43]
 |
Кривые кристаллизации - гептана, различной степени чистоты. а - 98 8 мол. %, б - 97 8 мол. %. в - 95 7 мол. %.| Кривые кристаллизации бензола, полученные в результате двух опытов. [44] |
Она способствует образованию центров кристаллизации, что уменьшает или полностью уничтожает переохлаждение. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5