Образование - центр - кристаллизация
Cтраница 4
В действительности образованию центров кристаллизации обычно, способствуют присутствующие примеси или стенки сосуда, в котором находится металл. [46]
Очевидно, что образование центров кристаллизации завершается в течение небольшой доли от всего периода осаждения. По данным о скорости генерирования сульфата было вычислено, что произведение концентраций ионов сульфата и бария в 0 01 М растворе ионов бария превышает произведение растворимости только в течение первых 1 - 2 с. Более того, в случае 0 01 М раствора ионов бария сульфаминовая кислота реактивной квалификации содержит сульфата в несколько тысяч раз больше, чем необходимо для достижения насыщения. Поэтому Фишер пришел к выводу, что образование центров кристаллизации часто происходит при прямом смешивании реагентов, но при низкой степени пересыщения. Вместе с тем, Хаберман и Гордон [7] указывают, что при использовании сульфа-миновой кислоты для достижения предельной степени пересыщения ( см. разд. При ОИГР гидратированных оксидов металлов путем повышения рН произведение растворимости при прямом смешивании реагентов никогда не превышается. [47]
Таким образом, образование центров кристаллизации само по себе слабо влияет на распределение примеси в системе. [49]
Энергетический барьер для образования центров кристаллизации включает временную частичную незащищенность катионов. Энергия, необходимая для создания временной частичной незащищенности катионов, и тепловая энергия kT, имеющаяся до температуры плавления вещества, определяют его способность к образованию центров кристаллизации или стеклообразованию. Увеличение отношения анион / катион благоприятно сказывается на кристаллизации. Замещение одного иона О2 - двумя ионами F - или двумя ионами ОН - является широко известным методом снижения вязкости и ускорения образования центров кристаллизации. [50]
Согласно Клеберу [744] образование центров кристаллизации является кинетическим процессом и зависит от двух основных факторов: 1) собственно работы образования центра, которую он определяет как энергию, затрачиваемую на образование центра при условии, что все строительные элементы, составляющие центр, уже находятся в месте его возникновения и 2) энергии активации, которую необходимо затратить, чтобы доставить строительные элементы к месту возникновения центра. Собственно работа образования центра зависит от степени различия между энергией, затрачиваемой на преодоление сил поверхностного натяжения на границе раздела фаз при возникновении новой поверхности центра, и энергией, выделяющейся при превращении стекло - кристалл. Если строительные элементы центра уже находятся в месте его возникновения, что, например, имеет место в случае равномерного распределения незначительных количеств Аи, Ag или Си по всему объему стекла и обогащения ими каплевидных микрофаз, которые, по данным Фогеля [745], образуются в светочувствительном стекле в результате микрорасслаивания, то работа образования центра становится весьма малой. Кроме того, протекание самого процесса гомогенного образования центров значительно облегчается, если выделяющиеся по всему объему микроучастки расслоения имеют одинаковый с центром стехиометрический состав и одинаковую величину. Образование центра и кристаллизация внутри выделившихся в результате микрорасслаивания каплеобразных микрофаз происходят значительно легче, чем в аморфной области, которая по составу значительно больше отличается от состава центра. [51]
При затвердевании расплава образование центров кристаллизации на более тугоплавких включениях является основным механизмом гетерогенного зарождения. При превращениях же в твердом состоянии зарождение непосредственно на поверхности включений играет, как правило, второстепенную роль по сравнению с зарождением на разного рода дефектах решетки ( границах зерен, субграницах, дислокациях), число которых и протяженность обычно намного болыше, чем включений. [52]
 |
Схематическое объяснение вида кривой скорости образования зародышей. [53] |
Превращение начинается с образования центров кристаллизации, количество ко-торых возрастает с течением времени. [54]
Перечисленные выше причины образования центров кристаллизации на практике переплетаются между собой и разделить их полностью обычно невозможно. [55]
Легкость течения процесса образования центров кристаллизации при наличии областей несмешиваемости или ненормально пологих кривых ликвидуса может быть обусловлена более легким осуществлением процесса диффузии, если состав жидкой фазы близок к составу кристаллизующейся фазы, или снижением поверхностной свободной энергии между выделяющейся фазой и расплавом. [56]
Тамман исследовал процесс образования центров кристаллизации и роста кристаллов. [58]
Это служит причиной образования центров кристаллизации отложений, прилипания кристаллов парафина к поверхности труб, блокирования их движения между выступами и впадинами поверхности. Когда значение шероховатости поверхности труб соизмеримо с размерами кристаллов парафина либо меньше их, процесс образования отложений затруднен. [59]
 |
Получение металлического покрытия методом электролитического осаждения. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5