Поверхностный окисел

Cтраница 2

Это позволяет предполагать, что толщина пассивирующего поверхностного окисла практически не зависит от концентрации щелочи. Некоторое утоныноние этого слоя при переходе к более крепким растворам, обнаруживаемое по увеличению измеряемой емкости на пассивном металле, является, вероятно, только кажущимся. Оно наблюдается вследствие того, что в крепких растворах, из-за большой глубины растворения металла, величина его поверхности значительно возрастает. Последнее и приводит к увеличению измеряемой емкости двойного слоя при той же толщине пассивирующего окмспого слоя. [16]

HgO, на котором отражается полупроводниковая природа поверхностного окисла, в частности, локализация части общего скачка потенциала в объемном заряде. [17]

HgO, на котором отражается полупроводниковая природа поверхностного окисла, в частности, локализация части обшего скачка потенциала в объемном заряде. [18]

В обоих случаях на контрольном участке пластины-свидетеля удаляется поверхностный окисел ( путем стравливания), сошлифовывается соответствующий участок кремния ( алмазной пастой) и промывается. [19]

Этот результат позволяет предположить, что изменение состояния поверхностного окисла при переходе от нижней к верхней ветви кривой сопровождается адсорбцией аниона. [20]

Можно предположить, что в силу кислых свойств поверхностного окисла, свойства окисленной поверхности серебра в щелочных растворах оказываются иными, нежели в кислых. [21]

В дальнейшем мы будем исходить из предположения, что поверхностный окисел однороден и невырожден; распределение электронов и дырок в окисле как в равновесии, так и при освещении подчиняется статистике Максвелла - Больцмана; d L, где L - дебаев-ская длина экранирования. [22]

Перепассивация по пленочной теории объясняется изменением состава и структуры поверхностного окисла в результате образования ионов более высокой валентности, что может привести к нарушению сплошности пленки. Защитное действие пленки при этом уменьшается и снова становится возможным растворение металла, но уже при более положительных потенциалах и обычно в виде ионов с большей валентностью. [23]

Перепассивация по пленочной теории объясняется изменением состава и структуры поверхностного окисла в результате образования ионов более высокой валентности, что может привести к нарушению сплошности пленки. Защитное действие пленки при этом уменьшается, и снова становится возможным растворение металла, но уже при более положительных потенциалах и обычно в виде ионов с большей валентностью. [24]

Зависимость скорости травления окисла кремния от концентрации травителя. [25]

Перекись водорода является плохим травителем для кремния из-за нерастворимости поверхностного окисла кремния в воде. Скорость травления кремния и германия зависит от химического состава и температуры травителей, кристаллографической ориентации поверхности, концентрации примесей в полупроводнике. [26]

При взаимодействии раствора сильно диссоциированной соли и угля продукт взаимодействия поверхностного окисла с водой реагирует с ионами соли, вызывая их обмен. При обмене ионив на адсорбенте идет гетерогенная химическая реакция, к которой применим закон действия масс, а сам процесс обмена подчиняется в простейших случаях закону эквивалентности и является обратимым. На характер обмена ионов влияет также изменение рН раствора, концентрация обменивающихся ионов, их химическая природа и структура адсорбента. [27]

Перепассивация по пленочной теории объясняется изменением, состава и структуры поверхностного окисла в результате образования ионов более высокой валентности, что может привести к нарушению сплошности пленки. Защитное действие пленки при этом уменьшается, и снова становится возможным растворение металла, но уже при более положительных потенциалах и обычно в виде ионов с большей валентностью. [28]

Первая задержка соответствует ионизации поверхностных атомов водорода, а вторая - образованию поверхностного окисла или адсорбционного слоя кислорода. Между двумя задержками имеется область с низким значением емкости ( в которой потенциал быстро изменяется во времени), которая отвечает изменению заряда и строения ионного двойного слоя. [29]

В реакции окисления водорода активными являются не атомы металла, а участки поверхностного окисла МехОу. Платина, осажденная на силикагеле, активируется по отношению к реакции окисления водорода сульфатом натрия. Максимум активности соответствует добавке 0 0025 % сульфата натрия. В особенности велика роль модифицирующих промоторов в окислительно-восстановительных реакциях, где каталитический эффект связан с переходом электронов от твердого тела или к нему. [30]

Страницы: 1 2 3 4