Простой оксид
Cтраница 2
В системе насчитывается 15 химических соединений, из которых три являются простыми оксидами, два - сложными тройными соединениями, а остальные - бинарными соединениями. [16]
Атомы занимают главным образом те же позиции, что и в простых оксидах. [17]
А / / 298 ( 0 - числа молей / - х простых оксидов, образующ 7 - й двойной, и их СЭО. [18]
Scu o3 и Д 298 ( Си2О3); и 50 для простых оксидов определяются результатами моделирования для раствора, а не простым соотношением простых оксидов в молекуле изучаемого СП. [19]
Высокая термическая устойчивость сульфата кальция затрудняет практическую реализацию процессов, основанных на его диссоциации до простых оксидов. Восстановители резко интенсифицируют разложение, но приводят к сложному составу твердой и газообразной фаз из-за большого количества одновременно протекающих реакций. Восстановителями служат твердые, жидкие и газообразные углероде одержащие вещества ( уголь, кокс, углистый колчедан, мазут, смолы и др.), а также водород и оксид углерода, которые чаще всего получают конверсией метана. [20]
Подобные структуры могут иметь и сложные оксиды, причем чаще встречаются упорядоченные структуры ( как в простых оксидах), чем статистические. [21]
Таким образом, при 773 К устойчивы СаСО3 и MgO, а при 1173 К оба металла образуют простые оксиды. Сравнение массы смешанного осадка при этих двух температурах позволяет рассчитать содержание обоих элементов в исходном образце. [22]
Таким образом, в системах Ln2O3 - A12O3 может существовать ряд соединений, потенциально пригодных в качестве лазерных матриц: простые оксиды редкоземельных элементов ( Ln2O3), оксид алюминия ( А12О3), соединения, имеющие состав LnAlO3 и Ln3Al5O12 и обладающие соответственно структурой перовскита и граната. [23]
Разрушение шпинельной структуры ( например, при катодной поляризации) приводит к резкому снижению доли прямой-реакции до воды вследствие образования простых оксидов. [25]
Некоторые металлы образуют гомологические ряды оксидов, такие, как TinChn-i или Mon03n - i, со структурами, родственными структурам простых оксидов М02 и МОз. Многие оксиды переходных металлов имеют отклонения от стехиометрии и вследствие этого являются полупроводниками, другие оксиды обладают интересными магнитными и электрическими свойствами, которые интенсивно изучались в последние годы. Обсудим некоторые из этих свойств оксидов при более детальном рассмотрении выборочных систем металл - кислород; при этом будем отмечать особенности некоторых оксидов. [26]
В структурах некоторых сложных оксидов разные сорта ионов металла имеют столь различное окружение, что такие типы структур не реализуются в простых оксидах. Одна из возможных причин заключается в том, что различие в размерах ионов, необходимое для обеспечения устойчивости структуры, слишком велико ( например, в перовските и родственных ему структурах) либо металл не может иметь две ( или более) степени окисления, необходимые для сохранения электронейтральности структуры. [27]
А О) и ( ВрО), каждое из которых является наиболее численно значи - j мым представителем каждого из семейств простых оксидов при температуре, когда кислородные индексы пар раствор / оксид: равны или близки. [28]
Scu o3 и Д 298 ( Си2О3); и 50 для простых оксидов определяются результатами моделирования для раствора, а не простым соотношением простых оксидов в молекуле изучаемого СП. [29]
В этой книге при создании и проверке методов расчета раз личных свойств критически проанализированы литературные ш справочные данные: по СЭО для 460 псевдобинарных соедине - Т ний ( в основном двойные оксиды) в 167 системах, для 447 бинарД ных соединений ( в основном интерметаллиды и простые оксиды) в 85 системах; по S s - для 330 бинарных и квазибинарных соединений примерно в 150 системах; по CJ ] 29S - Для примерно 100 двойных оксидов в приблизительно 90 системах. Таким образом, проанализированы значения ДЯ298, S s и С 298 для 1335 бинарных и квазибинарных соединений в 492 системах. [30]
Страницы: 1 2 3 4