Простой оксид

Cтраница 4

Термин комплексный ионный кристалл приложим к твердым фазам двух классов. Структуры многих из этих комплексных ( смешанных) оксидов или галогснидов родственны со структурами простых оксидов или галогенидов и выводятся из более простых структур АМХ упорядоченным или статистическим замещением атомов А нонами различных металлов ( см., например, табл. 13.1, разд. [46]

Исследовано свыше 100 пар раствор / оксид, представляющих около 90 псевдобинарных систем из оксидобразующих элементов I-VIII - й групп и 2 - 6-го периодов периодической системы. Выявлены как тождества, так и различия между СЭО групп двойных оксидов и энергетическими характеристиками эквивалентных по составу оксидных растворов, образованных элементами разных групп и периодов периодической системы; предложены способы оценки СЭО двойных оксидов с учетом этой классификации на основе данных ТМ о составе растворов и величин СЭО структурных составляющих растворов ( простых оксидов); рекомендованы системы ЭЛ ] - Эл2 - О, в которых можно использовать предложенные варианты расчетных методик для оценки неизвестных и коррекции известных значений СЭО бинарных оксидов, образующихся в этих системах. [47]

Изменение каталитич. активности оксидов переходных металлов в р-цин обмена Н2 - В2. [48]

Для катализаторов кислотно-основного типа специфика твердого тела не выражена так резко, как для полупроводников и металлов. О и т.п. Кислотными бренстедовскими центрами простых оксидов металлов являются поверхностные гидроксильные группы, остающиеся после частичной дегидратации пов-сти при нагр. Льюисовскими кислотными центрами служат координационно-ненасыщенные ионы, напр. Эти центры способны взаимод. Са, РЬ и др. Их активность связана с положением металла в периодич. [49]

В присутствии шпинелеобразующих солей, которые подвергаются разложению, интенсивный процесс окисления носителя наблюдается уже при температуре 250 - 300 С. Поэтому для получения катализатора необходимо применять смешанную воздушно-азотную атмосферу. Образование оксидов шпинельного типа происходит в интервале температур 350 - 400 С. Увеличение температуры выше этих значений приводит к образованию простых оксидов и металлической фазы в результате восстановительного действия углерода и СО. При температурах выше 400 С происходит также снижение удельной поверхности шпинели на носителе. [50]

По сравнению с другими высокотемпературными материалами оксиды имеют наиболее низкую тепло - и электропроводность, но значительную прочность при высоких температурах. Оксиды подразделяются на простые и сложные. Простые представляют собой соединения одного металла с кислородом, а сложные - соединения оксидов двух или более металлов. Наиболее высокие температуры, как правило, могут выдерживать простые оксиды. Сложные оксиды в основном являются тугоплавкими материалами, однако температура плавления их более низкая, чем входящих в них компонентов. [51]

Были синтезированы бронзы, в которых M Ti, V, Mb, Та, Mo, W, Re или Ru ( см. также Na Pt3O4, разд. Свойства бронз и причины их образования полностью не установлены; в частности, не найдено связи между возникновением свойств, типичных для бронз, и структурой фазы. Оксид LiATi4 - A - / 4O8 - это нестехиометрическая фаза со структурой рамсделлита ( разд. Некоторые бронзы имеют слоистые структуры ( их примеры приведены ниже), но большинство бронз имеют трехмерные каркасные структуры, причем состав структуры-прототипа соответствует составу простого оксида, как в случае Na TiCb, NaxV Os и КталДУОз. В то же время кубический каркас вольфрамовой бронзы имеют не только простые оксиды - ReO3 и сам WOs ( с различными искажениями), но также и стехиометрическое соединение Na VvOs с полным заполнением позиций натрия. Эта фаза высокого давления ( см. литературу в табл. 13.16) имеет внешний вид ( бронзовый цвет) и металлическую проводимость, характерные для бронз. О бесцветной модификации WOs с каркасом гексагональной вольфрамовой бронзы см. разд. [52]

Диаграмма состояний ус - [ IMAGE ] Фигуры травления на пло-ловной системы А-С скости ( 100 кристаллов ИАГ. [53]

К ниже температуры плавления кристалла и на 1 - 5 К выше температуры плавления см-еси веществ. При таком способе обработки на поверхности кристалла не наблюдается механических повреждений и загрязнений, так как составы расплава и кристалла отличаются только соотношением компонентов. При погружении кристалла в расплав в указанных условиях происходит растворение части кристалла. Указанным способом можно обрабатывать кристаллические соединения, образующиеся в системах, диаграмма состояний которых близка приведенной на рис. 89, А, В и С - оксиды металлов, причем А и С могут быть сами соединениями простых оксидов металлов. Тогда диаграмму состояний следует рассматривать как часть общей диаграммы состояний простых оксидов. Кроме кристаллического соединения В в расплаве смеси компонентов А и С могут обрабатываться также и кристаллы А, С. [54]

Страницы: 1 2 3 4