Бистабильность

Cтраница 2

В этом разделе мы рассмотрим другой вид бистабильности, аналогичный, но не тождественный тому, который рассматривался до сих пор в связи с одношаговыми процессами. [16]

Одна из широко изучавшихся возможностей - использование бистабильности в новых материалах ( полимерах) и многослойных структурах - вполне обоснована; Однако технология производства матриц существенно отстает. [17]

На самом деле может существовать и область бистабильности, где оба этих режима устойчивы. [18]

А значит, мы имеем следующее достаточное условие появления бистабильности, индуцированной шумом. Если интенсивность внешнего шума достаточно велика, именно а2 8, то имеются два максимума интенсивности прошедшего поля. Эта бистабильность существует независимо от значений кооперативного параметра. Эта бистабильность отлична от явления детерминистического гистерезиса и проявляется через совместное действие феноменологической нелинейной кинетики и внешнего шума. Резюмируя, можно сказать, что оптическая бистабильность проявляет оба типа фазовых переходов, индуцированных шумом. Детерминистическая критическая точка подавляется сколь угодно малым шумом и сдвигается в сторону больших значений с. В то же время работает механизм индуцирования критической точки чисто шумовыми эффектами, что приводит к бистабильному поведению при всех значениях кооперативного параметра. [19]

В общем случае приходится рассматривать и абсорбционную, и дисперсионную бистабильность. Если же отстройка атома от резонанса так велика, что можно пренебречь поглощением, мы говорим о чисто дисперсионной бистабильности. Наряду с указанными выше системами с чисто оптической ( собственной) бистабильностью, исследовались также различные варианты гибридных, электрооптических систем. Типичное устройство такого типа получится, если заменить поглотитель электрооптическим кристаллом, которым управляет выходное поле и показатель преломления которого изменяется пропорционально выходной мощности. Из сказанного ясно, что такие системы имеют большое будущее как приборы. Они могут работать как оптические транзисторы, элементы памяти, формирователи импульсов, исключающие шумовую часть падающего света, дискриминаторы, односторонние и двусторонние ограничители. Назовем еще такое приложение: система может работать как преобразователь непрерывного излучения в импульсное ( близкая аналогия с импульсами, изучавшимися в разд. Были получены также хаотические режимы. [20]

Изменение бифуркационной картины в зависимости от величины системы. [21]

Поразительно, что флуктуации оказывают весьма сильное влияние на область бистабильности. [22]

По отношению к возбуждениям, имеющим вид одиночных или периодических бегущих импульсов, бистабильность среды несущественна, и они описываются подобно аналогичным режимам в ждущих средах. [23]

Результаты измерений прошедшей мощности как функции мощности на входе для интерферометра Фабри - Перо. а - без паров натрия и б - заполненного парами натрия ( Gibbs, McCall and Venkatesan, 1976. [24]

Теперь асимптотическое отношение 1 и / 0 не является линейным, как в случае абсорбционной бистабильности. В этих экспериментах использовался интерферометр Фабри - Перо, заполненный парами натрия и функционирующий вдали от резонанса, так что дисперсия была главной нелинейностью. На рис. 16.13 показаны результаты измерений прошедшей мощности как функции входной мощности для двух случаев: пустой кюветы и кюветы, заполненной парами натрия. Четко видно гистерезисное поведение прозрачности среды. [25]

При заданном С 4 наибольшая петля гистерезиса получается, когда А 0 О, а бистабильность существует только в конечной области плоскости А, 6 в окрестности начала координат. [26]

Учитывая важность возникновения мультистабильных состояний в активных распределенных средах СВЧ-электроники, рассмотрим подробнее другой пример бистабильности в сильноточных электронных пучках электронный пучок со сверхкритическим током в гидродинамической модели диода Пирса. [27]

Зависимость минимальной плотности эмиттерно-г. тока в бистабпльных ячейках хранения от а 1Ка. [28]

Минимальный ток в ячейке хранения / хрmm2S3 / n mm, так как на границе бистабильности через оба составляющих ячейку ключа протекают равные токи. [29]

Если активная среда изменяет фазу, это сказывается на изменении длины волны, что определяет возможность бистабильности. Однако обычно характеристики лазеров таковы, что дисперсия не ведет к бистабильности. Имеет свой аналог в случае заданного поля и бистабильность, вызванная наличием внутри-резонаторного насыщающегося поглотителя ( разд. При этом источником энергии является внешнее лазерное излучение. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5