Cтраница 3
По известным температурной и частотной зависимостям времен релаксации для Ж - процессов [10] с использованием приближенных законов дисперсии был рассмотрен и оценен вклад различных участков спектра в поглощение звука. [31]
На рис. 7.1 и 7.2 представлена зависимость времени релаксации от концентрации полимера при различных температурах, имеющая в к оординатах т - IgC линейный характер. Как видно из рисунков, время релаксации поверхностного натяжения уменьшается с повышением температуры и концентрации. [32]
Температурная зависимость диэлектрических свойств определяется характером зависимости времени релаксации от температуры. [33]
Если т0 не зависит от температуры, то температурная зависимость подвижности подобна зависимости времени релаксации от энергии. [34]
Поскольку эксплуатация полимерных изделий часто проводится в условиях сложно-напряженного состояния, выяснение зависимости времени релаксации ( а следовательно, и температуры стеклования) от напряжения имеет большой научный и практический интерес. [35]
![]() |
Исходные экспериментальные данные по ползучести фторопласта-4 при растяжении с наложением гидростатического давления. [36] |
Обращает на себя внимание взаимосвязь между зависимостью объема дефектов от давления и зависимостью времени релаксации от давления. [37]
Для невырожденных полупроводников, для которых применимы классическая статистика Больцмана и степенной закон зависимости времени релаксации от энергии, средние величины, входящие в выражение для коэффициента г, вычислены для различных механизмов рассеяния носителей заряда. [38]
Если принять во внимание соотношение (5.18), приходим к выводу, что (5.31) отвечает зависимость времени релаксации т от температуры т - 1 / T JT. Поэтому следует ожидать, что неравенство (5.1) может выполняться лишь в области достаточно низких температур. Разумеется, размер соответствующего температурного интервала зависит от констант экситон-фононного взаимодействия и в настоящее время может быть установлен только экспериментально. [39]
Мы уже говорили, что при рассеянии на тепловых колебаниях и на ионах примеси зависимости времени релаксации от энергии электронов имеют совершенно различный характер. В первом случае - чем больше энергия ( и волновой вектор) электрона, тем с большим числом фононов электрон может взаимодействовать и, следовательно, тем больше число соударений и меньше время свободного пробега; во втором случае - чем больше энергия и скорость, тем меньше электрон отклоняется в поле иона, тем меньше cos 6 в формуле (6.37) и, следовательно, тем больше эффективное время релаксации. [40]
Теория Руппрехта [5], принимающая во внимание только основные носители, также не может объяснить зависимость времени релаксации от амплитуды поля; в то же время результаты описанных опытов показывают, что надо учитывать возможность существования такой зависимости. Эта зависимость возникает, если условия опыта отличаются от условий малого отклонения от равновесия. [41]
Это противоречие, вероятно, связано с рядом упрощающих предположений теории и с сомнительным предположением о зависимости времени релаксации от энергии ( см. примечание на предыдущей стр. [42]
В конце пятидесятых годов в нашей лаборатории были начаты работы по использованию для анализа неорганических соединений зависимости времен релаксации магнитных ядер от наличия ( количества) в растворе парамагнитных центров. [43]
В обеих работах использована модель цепной молекулы Рауза - Картина - Слонимского [58], по результатам теории также схожи и качественно описывают мо-лекулярномассовые зависимости времен релаксации. [44]