Зависимость - квантовый выход
Cтраница 4
 |
Основные процессы, приводящие к фотогенерации носителей в ПВК. Слева от вертикальной штриховой линии показаны процессы собственной генерации, справа - несобственной. Обозначения в тексте. [46] |
На рис. 6.5.46 показаны основные процессы, приводящие к фотогенерации носителей в ПВК. Предпосылкой к этой схеме является автоионизационный механизм собственной генерации носителей. Радиационный распад эксимера с константой скорости kp приводит к появлению эксимерной флуоресценции. В соответствии с природой парной рекомбинации должна наблюдаться зависимость квантового выхода носителей от напряженности электрического поля, подчиняющаяся закономерностям теории Онза-гера. Существование такой зависимости было продемонстрировано выше. Более того, время жизни эксимерной флуоресценции не зависит от электрического поля. [47]
В определенных условиях энергии, накопленной в адсорбционном комплексе, оказывается достаточно для диссоциации молекулы. Поскольку сечения захвата сп, ср аномально малы, заметные эффекты диссоциации могут наблюдаться при весьма высоких уровнях инжекции неравновесных носителей заряда. На рис. 2 представлена зависимость квантового выхода водорода при фотодиссоциации Н2О на Si от энергии падающих квантов света. Указанный рост ц при постоянстве квантового выхода электрон-дырочных пар, генерируемых светом в полупроводнике ( пунктирная кривая на рис. 2), и постоянстве потенциала поверхности не может быть объяснен в рамках электронной теории адсорбции. [48]
Решение дано с использованием решеточных функций Грина, модифицированных присутствием приложенного электрического поля. В этой модели один из зарядов фиксируется в начале координат, а другой, противоположно заряженный, движется по решетке, причем вероятность ухода подвижного заряда за единицу времени с узла / в заданном направлении дается функцией ( /, О - Эта функция определяется относительными скоростями переходов между соседними узлами, а скорости переходов зависят от перекрывания волновых функций, от разностей энергий, электрон-фононного взаимодействия и др. Важным фактором являются параметры конкурирующих процессов, такие, как скорость распада электронно-возбужденных предшественников диссоциирующих ионных пар. Эти параметры могут быть определены, если сделать предположение относительно начального распределения расстояний между спаренными зарядами ( см. разд. Авторы [221] показали, что в зависимости от относительных величин некоторых молекулярных параметров ( рис. 4) при использовании фиксированного начального распределения зарядов ( т.е. при фиксированном значении г0) величины г0, рассчитанные в рамках теории Онзагера по зависимости квантового выхода от электрического поля, могут отличаться друг от друга на порядок величины. Рассмотрим результаты вычислений, показанные на рис. 4, иллюстрирующие зависимость квантовой эффективности фотогенерации ij от относительной напряженности электрического поля. [49]
Страницы: 1 2 3 4