Температурная зависимость - проводимость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Сумасшествие наследственно. Оно передается вам от ваших детей. Законы Мерфи (еще...)

Температурная зависимость - проводимость

Cтраница 2


Обобщение сведений о температурной зависимости проводимости при постоянном токе, независимо от того, является ли она электронной или ионной, представляет собой определенную трудность, поскольку в этом случае могут протекать многочисленные процессы. Однако проводимость, связанная с туннелированием в сильных полях, обычно характеризуется слабой температурной зависимостью.  [16]

17 Типичные кривые проводимости вблизи порога для двух температур. Nox 3 5 10 см 2. Кподл 0. Предполагается, что максимум проводимости соответствует максимуму примесной зоны. Отметим независимость положения максимума от температуры. [17]

На рис. 99 представлены температурные зависимости проводимости, снятые по мере увеличения приповерхностного поля, а следовательно, и амплитуды связывающего потенциала, за счет отрицательного смешения на подложке Кподл.  [18]

19 Зависимость проводимости от частоты для образцов с различной ТТО.| Зависимость проводимости от частоты при различных температурах измерения. РТМ полиэтилен с ТТО 420 С. [19]

На рис. 37 показана температурная зависимость проводимости в постоянном поле и на частоте 16 Мгц в области плато для двух образ-дов.  [20]

В области высоких давлений температурная зависимость проводимости растворов H2SO4, KHSO4, К2 О4, НС1, НВг и некоторых галогеяидов щелочных металлов имеет максимум. Так, под давлением 500 бар проводимость растворов H2SO4 максимальна при 160, НВг и КВг при 250 и 300 С соответственно, а под давлением 4000 бар - при 300 и 450 С. Из этого следует, что с повышением температуры и увеличением удельного объема раствора сила кислот снижается.  [21]

Тогда при построении графика температурной зависимости проводимости в осях In a - - f ( / T) ( рис. 2) экспериментальные точки должны лечь на прямую линию, тангенс угла наклона которой к оси абсцисс, умноженный на - k0, даст энергию активации проводимости.  [22]

Теллурид серебра по характеру температурной зависимости проводимости и постоянной Холла противоположен Ag2Se: низкотемпературная фаза характеризуется большей электропроводностью. От температуры жидкого азота до 250 К проводимость и постоянная Холла почти не изменяются с ростом температуры, а затем медленно убывают и при 423 К ( точка перехода) постоянная Холла возрастает, а проводимость убывает примерно в два раза. Ширина запрещенной зоны, вычисленная из температурной зависимости постоянной Холла, составляет 0 17 эв.  [23]

24 Особенности фазового перехода кристаллов TTF-TCNQ. [24]

На рис. 4.13 а приведена температурная зависимость проводимости одного из наиболее изученных одномерных проводников - полимера TTF-TCNQ. Плоская молекула-ион ( TCNQ) - обладает сильными акцепторными свойствами и может образовывать соли с переносом заряда. Среди многих таких солей, имеющих квазиодномерную структуру, следует отметить хорошо проводящее при 300 К соединение TCNQ - с TTF, играющим роль катиона.  [25]

Наблюдаемое отклонение от активационного поведения температурной зависимости проводимости может быть объяснено зависимостью подвижности носителей от температуры. Перенос заряда по локализованным состояниям подтвержден независимостью проводимости от частоты в этом температурном диапазоне.  [26]

В чем заключается характерная особенность температурной зависимости проводимости органических полупроводников.  [27]

28 Изменение подвижности от температуры. [28]

Закон действия масс. При обсуждении температурной зависимости проводимости собственных и примесных полупроводников допускали, что при возбуждении примесей основные носители не участвуют в электропроводности. В действительности же и в примесном полупроводнике в какой-то мере происходит возбуждение собственных носителей тока.  [29]

30 Дифференциальная проводимость туннельного контакта с Si. B, находящимся в состоянии изолятора из-за малого количества носителей. Полную серию кривых в Приложении Б на 5.| Дифференциальная проводимость туннельного контакта с ультратонкой высокоом-ной пленкой Be при Т - 0 7 К. Полную серию кривых в Приложении Б на 6. [30]



Страницы:      1    2    3    4    5