Температурная зависимость - проводимость
Cтраница 4
 |
Ширина запрещенной зоны (. g в зависимости от ТТО. [46] |
Приведенные в главе IV результаты измерения подвижности в продуктах РТМ поливинилацетата с температурой обработки 360 С показывают, что уже при 110 С начинает сказываться в температурной зависимости проводимости возрастание концентрации сво-бодных носителей с увеличением температуры. Измерение проводимости образцов РТМ полиэтилена вплоть до температур термической обработки показало, что выше 250 С прямая Iga - 1 / Т идет с гораздо большим наклоном, чем при более низких температурах. Можно сравнить энергии активации проводимости AElt вычисленные из температурного хода проводимости при температурах 250 С, со значениями, полученными для ширины запрещенной зоны из других измерений. При этом надо учитывать, что движение носителей и в высокотемпературной области идет активационно за счет потенциальных барьеров, и поэтому A. [47]
 |
Зависимость удельного объемного сопротивления кварца от температуры. [48] |
Кварцевое стекло - плавленый кварц - и плавленый борный ангидрид обладают весьма малой удельной проводимостью. Температурная зависимость проводимости этих стекол значительна; коэффициент b 22 000, что указывает на большую энергию освобождения ионов. [49]
 |
Зависимость электропроводимости ме-талла ( / и полупроводника ( 2 от температуры. [50] |
Электропроводимость металлов выше 104 Ом - - см-1, диэлектриков ниже 10 - Ом - - см - ( при 298 К), проводимость полупроводников лежит между этими значениями. Температурная зависимость проводимости металлов определяется временем свободного пробега электронов. С повышением температуры тепловые колебания атомов в узлах кристаллической решетки усиливаются, что приводит к увеличению взаимодействия их с электронами и к понижению проводимости. [51]
Электропроводность карбида кремния меняется в широких пределах от 10 - 13 до 5 ом-1 - см-1 в зависимости от степени загрязнения и нарушения стехиометрии. Температурная зависимость проводимости карбида кремния типична для примесных полупроводников. [52]
Мы не будем здесь подробно обсуждать влияние кулоновского взаимодействия на прыжковую проводимость. Такая температурная зависимость проводимости действительно наблюдается во многих случаях, однако вопрос об адекватной теории этого круга явлений до сих пор еще является предметом дискуссии. [53]
 |
Пояснение хода кривых зависимости удельной проводимости полупроводников от температуры при различных концентрациях примесей. [54] |
Поэтому температурная зависимость проводимости похожа на температурную зависимость концентрации. В области истощения ( концентрация постоянна) изменение проводимости обусловлено температурной зависимостью подвижности. [55]
Характер температурной зависимости проводимости ( рис. 7.8) зависит от давления. При низких давлениях ( р 105 Па) проводимость, как обычно, возрастает с температурой. При очень высоких закритических давлениях ( р 1 5 - 107 Па) с ростом температуры проводимость, наоборот, убывает. В промежуточной области давлений ( р 2 - 106 Па) проводимость проходит через очень глубокий минимум ( см. также разд. Наблюдаемые факты пока не имеют окончательного объяснения, поскольку здесь существенны многие эффекты. Идея этого объяснения состоит в следующем. При температурах ниже критической пар имеет очень сложный состав. Большинство ионов образуют кластеры с несколькими атомами, часть электронов также связана в отрицательные кластеры. Однако у положительных кластеров энергия связи гораздо больше, чем у отрицательных, что приводит к избытку свободных электронов. [56]
Комплекс с переносом заряда TTF-TCNQ и его аналог, в котором сера замещена селеном ( TSeF-TCNQ), имеют одинаковую структуру. Похожи и их температурные зависимости проводимости. [57]
 |
Зависимость термоэлек. [58] |
Нам кажется возможным составить точку зрения о роли ближнего порядка в наблюдаемом изменении проводимости не только из непосредственного его изучения, но и из совокупности полученных нами экспериментальных фактов. Так, отсутствие изменений в ходе температурной зависимости проводимости при температурах на 300 выше температуры размягчения ( рис. 2) и неизменность спектрального распределения внутреннего фотоэффекта ( рис. 4) свидетельствуют об отсутствии в этих интервалах температур заметных изменений в ближнем порядке. Естественно ожидать отсюда, что в процессе кристаллизации, осуществляемом ниже температуры размягчения, ближний порядок остается неизменным. [59]
 |
Зависимость удельной проводимости теллурида германия от концентрации. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5