Температурная зависимость - проводимость
Cтраница 3
Обычно параллельно наблюдают радикальные изменения характера температурной зависимости проводимости. Во всех этих вопросах кулоновское взаимодействие играет существенную роль. [31]
 |
Зависимость относительного поверхностного потенциала от времени. [32] |
Изменение заряда с увеличением температуры определяется температурной зависимостью проводимости материала полимера. [33]
Для композиции с меньшим содержанием этого наполнителя температурная зависимость проводимости имеет другой характер. При повышении температуры до 75 - 100 С удельное электрическое сопротивление резин уменьшается по линейному закону на 20 - 40 %, а при дальнейшем нагревании незначительно возрастает. В области высоких температур силы адгезионного взаимодействия между частицами наполнителя уже не в состоянии противостоять все усиливающемуся флюктуирующему воздействию со стороны полимерной матрицы и обеспечить целостность токопроводя-щей структуры, что сопровождается некоторым возрастанием электрического сопротивления. [34]
Измеряя в области 50 - 250 К температурную зависимость проводимости легированных образцов германия, для которых коэффициент Холла был постоянным, Морин [30] сумел определить температурную зависимость омической подвижности и.с. Поскольку п р илир п и концентрация основных носителей тока остается неизменной, проводимость а пропорциональна и с. Морин подтвердил также установленный Принсом закон для температурной зависимости подвижности дырок в германии тг-типа и проследил его вплоть до температуры 50 К. [35]
Первые исследования явлений переноса [518] показали, что температурная зависимость проводимости инверсионного слоя при низких концентрациях носителей имеет активацион-ный характер. Первоначально это объяснялось вымораживанием носителей на примесных уровнях, а в настоящее время этот эффект связывают с локализацией в хвостах плотности состояний. Кроме того, локализованные состояния проявляются в минимумах плотности состояний между уровнями Ландау в сильных магнитных полях. Особый интерес представляют исследования локализации в инверсионных слоях, так как простота управления концентрацией электронов предоставляет более широкие экспериментальные возможности по сравнению с изучением локализации в массивных полупроводниках. [36]
 |
Энергетические схемы примесных полупроводников n - типа ( а и р-типа ( б. [37] |
На рис. 9 - 5 показан типичный ход температурной зависимости проводимости полупроводника с различным содержанием примесей. На графике ясно видны области примесной и собственной проводимости. [38]
 |
Зависимость фотопроводимости полупроводников от интенсивности облучения. [39] |
Численные значения ширины запрещенной зоны, определенные для одного и того же полупроводника по температурной зависимости проводимости и по оптическому краю поглощения, в большинстве случаев близки друг к другу, но могут и отличаться, особенно у полупроводников с ионной кристаллической решеткой. [40]
Экспоненциальный закон изменения концентрации свободных носителей зарядов в полупроводниках при изменении температуры объясняет принципиальное различие между температурной зависимостью проводимости полупроводников и металлов. У последних концентрация свободных носителей практически не зависит от температуры. [41]
Анализ удельного сопротивления и фотопроводимости нелегированных пленок a - Si: Н может быть выполнен исходя из температурной зависимости проводимости, обусловленной свободными носителями заряда. Однако другие авторы [101] наблюдали изменение механизма проводимости при температуре около 250 К и высказали предположение, что ниже этой температуры реализуется прыжковый механизм переноса носителей заряда по состояниям, локализованным в запрещенной зоне. [42]
Было сделано несколько попыток определить подвижность носителей из значения коэффициента Зеебека и / или из предэкспоненциального множителя в температурной зависимости проводимости. Результаты оказались довольно сомнительными и часто противоречивыми, поскольку используемые для их интерпретации модели были разработаны для ковалентных полупроводников и вряд ли применимы к молекулярным кристаллам. [43]
 |
Температурная зависимость удельной электрической проводимости кремния, содержащего различное количество фосфора. [44] |
На рис. 9.2 у вырожденного полупроводника ( кривая 3) концентрация свободных носителей заряда не зависит от температуры и температурная зависимость проводимости определяется зависимостью их подвижности от температуры. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5