Диэлектрическое основание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Извините, что я говорю, когда вы перебиваете. Законы Мерфи (еще...)

Диэлектрическое основание

Cтраница 1


Диэлектрическое основание готовой МПП должно быть по возможности однородным. Элементы печатного монтажа на слоях и на готовой МПП не должны иметь даже частичных разрывов и протравливания, а также отслоений и вздутий. Допускаются лишь такие риски, царапины и вмятины проводников, которые обусловлены естественной текстурой применяемых материалов. Отдельные точечные протравы ( не более одной точки на печатный проводник и трех точек на 1 дм2 площади ПП) возможны при условии, что они не уменьшают минимально допустимую ширину печатных проводников. Частичные недо-травы произвольной формы в щелевидных прорезях экранов и маркировочных знаках ( которые могут быть в дальнейшем исправлены маркировочной краской) допускаются как исключение.  [1]

Диэлектрическое основание ПП или МПП должно быть однородным по цвету, монолитным по структуре и не иметь внутренних пузырей и раковин, посторонних включений, сколов, трещин и расслоений. Допускаются одиночные вкрапления металла, царапины, следы от удаления одиночных невытравленных участков, точечное и контурное посветление, проявление структуры материала, которые не ухудшают электрических параметров ПП и не уменьшают минимально допустимых расстояний между элементами проводящего рисунка.  [2]

3 Основные элементы платы со стежковым монтажом.| Схема технологического процесса стежкового монтажа. [3]

В качестве диэлектрического основания применяют стеклотекстолит с толстым медным слоем ( СФ-2Н-50), что позволяет улучшить теплоотвод и исключить отслаивание контактных площадок при пайке на них петель. Рисунок ПП покрывается через сетчатый трафарет технологическим покрытием, улучшающим паяемость. Отверстия под петли располагаются с одной стороны и симметрично относительно контактных площадок.  [4]

Элементами ПП являются диэлектрическое основание, металлическое покрытие в виде рисунка печатных проводников и контактных площадок, монтажные и фиксирующие отверстия. Они должны соответствовать требованиям ГОСТ 23752 - 86 и отраслевых стандартов.  [5]

В качестве материалов диэлектрических оснований ПП применяют гетинакс и стеклотекстолиты на эпоксидной или фенольной основе, которые не ухудшают своих механических и электроизоляционных свойств до температуры 150 С. Выпускаемые отечественной промышленностью диэлектрики изготовляют на основе эпоксидно-фенольных смол, аналогичные изделия в США - на основе эпоксидной смолы.  [6]

Здесь в качестве материалов диэлектрического основания поверхностных поглощающих нагрузок используются керамика, стекло, гетинакс, слюда, текстолит. Роль поглощающего покрытия выполняют тонкие пленки металлов ( сплавов) с высоким удельным сопротивлением, например тонкие пленки нихрома.  [7]

Отслоение элементов печатного монтажа от диэлектрического основания наблюдается при использовании некачественного склеивающего материала, несоблюдении режимов приклеивания фольги, применении сравнительно узких печатных проводников, имеющих большую длину, а также при малой площади контактных площадок по отношению к площади просверленных в них отверстий. Такого рода дефекты наблюдаются обыч-го на наружных слоях МПП и сравнительно просто устраняются.  [8]

Гибридной интегральной микросхемой называют ИМС, содержащую диэлектрическое основание ( подложку), все пассивные элементы на поверхности которой выполняются в виде однослойных или многослойных пленочных структур, соединенных неразрывными пленочными проводниками, а полупроводниковые приборы, в том числе ИМС и другие компоненты ( миниатюрные керамические конденсаторы, индуктивности и др.), размещены на подложке в виде дискретных навесных деталей. Транзисторы и другие полупроводниковые приборы в пленочном исполнении не нашли применения, так как получение в производственных условиях монокристаллических тонких пленок полупроводника с удовлетворительной структурой является очень сложной задачей.  [9]

Применение сухого фоторезиста осуществляется следующим образом: на предварительно очищенное фольгированное диэлектрическое основание ПП с помощью специальной валковой установки приклеивают слой фотополимера, защищенный оптически прозрачной поли-этилентерефталатовой пленкой. В процессе нанесения фотополимера автоматически удаляется защитная полиэтиленовая пленка, а процесс приклеивания сопровождается подогревом, что способствует большей адгезии фотополимера со слоем фольги. Далее осуществляется процесс экспонирования рисунка печатного монтажа. Защитная полиэфирная пленка удаляется только перед операцией проявления.  [10]

Электрохимические ( ЭХ) - гальваническое осаждение меди на диэлектрическое основание и в монтажные отверстия.  [11]

Для получения бесступенчатой характеристики применяют пленочные реостаты, представляющие собой диэлектрическое основание ( каркас), на которое гальваническим способом нанесен тонкий слой твердого металла; щетка контактирует со сплошной гладкой металлической поверхностью. Достоинством таких потенциометров является возможность плавного изменения выходного напряжения и простота воспроизведения сложной функциональной зависимости между перемещением и выходным напряжением.  [12]

13 Образец для испыта - ния на стабиль - ] § ность. [13]

Образец, у которого произошло отслоение фольги или расслоение диэлектрического основания, считается не выдержавшим испытания.  [14]

Метод реализуется на основе создания кремниевых полупроводниковых структур на диэлектрическом основании и обеспечивает изоляцию изготовляемых элементов со всех сторон, что значительно улучшает характеристики интегральных устройств. Однако существует множество проблем, например необходимость прецизионного шлифования, согласованность ТКР кремния и диэлектрического основания, которые препятствуют широкому внедрению метода.  [15]



Страницы:      1    2    3    4