Диэлектрическое основание
Cтраница 3
 |
Разрез МПП. [31] |
При сборке МПП практически всегда происходит смещение контактных площадок относительно узлов координатной сетки из-за неточности совмещения и деформации диэлектрических оснований слоев, а также смещение их друг относительно друга из-за неточности выполнения фотошаблонов. [32]
В момент соприкосновения разогретых торцов формующих стержней пуансона включается система отсоса, обеспечивающая удаление оплавленных ( отделенных) частиц диэлектрического основания ТОП. После выполнения операции термомеханического формования отверстий ( окон) в ТОП происходит раскрытие матрицы и пуансона, отделение зажимных планок, освобождающих тканую ленту для ее дальнейшей вытяжки валками. [33]
Указанные методы - субтрактивные процессы, в которых проводящий рисунок получают избирательным удалением ( травлением) участков фольги с диэлектрического основания печатной платы. В аддитивных процессах проводящий рисунок получают избирательным осаждением проводникового материала на нефольгированный материал основания. [34]
Печатные платы - это элементы конструкции, которые состоят из плоских проводников в виде участков металлизированного покрытия, размещенных на диэлектрическом основании и обеспечивающих соединение элементов электрической цепи. [35]
Выход отверстий за пределы контактных площадок наблюдается из-за недостаточной точности используемого оборудования и технологической оснастки, смещения слоев при прессовании, деформации диэлектрических оснований и неправильного базирования ПП при выполнении отверстий. Дефект практически не устраняется. [36]
Резистивный материал в зависимости от типа резистора может применяться в виде объемного элемента, проволоки различного диаметра или пленки, осажденной на поверхности диэлектрического основания. [37]
Выход отверстий за пределы контактных площадок имеет место из-за недостаточной точности используемого оборудования и фотошаблонов, смещения слоев МПП при прессовании, деформации диэлектрических оснований и неправильной базировки ПП при обработке в них отверстий. Дефекты такого рода неустранимы. [38]
Резистивный материал в зависимости от типа резистора может применяться в виде объемного элемента, проволоки различного диаметра или пленки, осажденной на поверхности диэлектрического основания. [39]
Интегральные пленочные микросхемы ( или просто пленочные микросхемы) - микросхемы, в которых все входящие в схему элементы выполнены методами пленочной технологии на поверхности общего диэлектрического основания. [40]
 |
Расположение контактных площадок на координатной сетке для навесных элементов, имеющих расстояние между выводами кратное ( а и не кратное ( б шагу координатной сетки ПП. [41] |
Независимо от выбранной формы площадь вырезов должна составлять не менее 50 % от общей площади экрана, что необходимо для получения удовлетворительной адгезии между фольгой и диэлектрическим основанием, а также для предохранения слоев МПП от коробления. [42]
МПП предъявляются высокие требования, так как всегда имеет место смещение контактных площадок в слоях МПП относительно узлов координатной сетки и относительно друг друга, вызванное неточностью нанесения рисунка, совмещения и деформацией диэлектрических оснований слоев. Для многослойных и сложных плат класса В рекомендуется использовать допуск в пределах 0 1 мм. [43]
Вихретоковые толщиномеры ( табл. 18.8) предназначены для измерения толщины любых диэлектрических покрытий на электропроводящих основаниях, а также для измерения толщины электропроводящих лент, листов, стенок труб, электропроводящих покрытий на диэлектрических основаниях. [44]
Резистивная пленка является основным исходным конструктивным элементом пленочных резисторов. Ее наносят на диэлектрическое основание, а концы замыкают на контактные площадки высокой проводимости. [45]
Страницы: 1 2 3 4