Полевая зависимость

Cтраница 1

Коэффициент Ь при квадратичном члене, определенный так же, как и а иа 53. Данные приведены для jV, 2 1012см - 2 при различных смещениях на подложке. квадратики - Кподл - 15В, треугольники - Кподл - 3 В, крестики.| Температурная зависимость / а, обратной величины линейного коэффициента, изображенной на 53, для трех значений Ns. Кружки - N, 3 1012 см-2, крестики - Ns 7 1012 см-2, треугольники - Vs 1 2 10 см 2. [1]

Квадратичная полевая зависимость магнитопроводимостн отвечает закону Кюри - Вейса. Дорда обнаружил, что эффект уменьшается при высокой плотности поверхностных состояний. [2]

Влияние вязкости растворителя на зависимость интенсивности ХПЯ 1Н от магнитного поля в реакции термического разложения быс-диазоизобутиронитри. [3]

Полевые зависимости ХПЯ в дифениловом и пентафениловом эфирах ( рис. 11.41) существенно отличаются. Единственным источником такого различия в положениях максимумов ХПЯ, возникающей в РП одинакового состава, может быть изменение величины обменного интеграла. [4]

Полевая зависимость вероятности рекомбинации в слабых полях для более сложных систем должна существенным образом зависеть от конкретной структуры РП, числа магнитных ядер, конкретных значений параметров сверхтонкого взаимодействия. Для РП с большим числом ядер расчеты значительно усложняются. Поэтому приходится обращаться к приближенным расчетам и оценкам. [5]

Сравнение ВАХ p - n - перехода на основе кристаллического материала ( а и р - / - - перехода на основе a - Si ( в В темноте ( / и при освещении ( If. [6]

Полевая зависимость вероятности генерации фотоносителей была рассчитана в работе [10] для аморфного селена. Результаты, полученные этими двумя группами, совпадают. В работе Окамото и др. [9] рассчитана и подтверждена экспериментально вероятность собирания фотоносителей в зависимости от электрического поля в р - 1 - - переходе на основе a - Si. Зависимость фотовольтаического эффекта от напряженности электрического поля непосредственно определяет свойства солнечного элемента. Например, как показано на рис. 5.1.2, наблюдаемые ВАХ для р - 1 - - перехода на основе a - Si и для р - n - перехода в монокристалле существенно различаются. [7]

Сравнение ВАХ p - n - перехода на основе кристаллического материала ( а и р - / - п-перехода на основе a - Si ( б В темноте ( / и при освещении ( If. [8]

Полевая зависимость вероятности генерации фотоносителей была рассчитана в работе [10] для аморфного селена. Результаты, полученные этими двумя группами, совпадают. В работе Окамото и др. [9] рассчитана и подтверждена экспериментально вероятность собирания фотоносителей в зависимости от электрического поля в р - 1 - n - переходе на основе a - Si. Зависимость фотовольтаического эффекта от напряженности электрического поля непосредственно определяет свойства солнечного элемента. Например, как показано на рис. 5.1.2, наблюдаемые ВАХ для р - 1 - - перехода на основе a - Si и для р - - перехода в монокристалле существенно различаются. [9]

Полевая зависимость эффекта ХПЯ бензола, образующегося при термолизе ННА, имеет аналогичный вид. Интересно, что в этих системах наблюдается довольно редкий случай изменения знака ХПЯ в слабых магнитных полях. Развитые в части I теоретические представления о механизмах возникновения ХПЯ в слабых магнитных полях позволяют решить вопрос о составе радикальной пары - предшественнице продуктов реакции. [10]

Характер полевой зависимости вероятности Рв может существенно измениться, если обменный интеграл / в РП достаточно велик. Хотя в реальных системах энергия обменного взаимодействия меняется в зависимости от расстояния между партнерами РП, мы ограничимся рассмотрением простейшего случая, когда / имеет фиксированное значение. [11]

Подобие полевых зависимостей магнитных эффектов, измеренных в реакции Н2О2 с комплексом [ Fe3 ( ЭДТА) ] 2 и катала-зой, позволяет предположить, что в последнем случае механизм влияния поля аналогичен рассмотренному. [12]

Анализ полевой зависимости эффектов ХПЯ в слабых магнитных полях позволяет окончательно исключить гипотезу об участии остатка нуклеофильного реагента на стадии РП в исследуемой реакции. [13]

Важная проверка полевой зависимости скоростей прыжков была выполнена в работе [232] с использованием в качестве модельных соединений кристаллических полидиацетиленов ( см. описание этих соединений в разд. Эти соединения ( ПТС и ПДКГД) образуются при твердотельной полимеризации кристаллических ацетиленовых мономеров, в результате которой получаются высокоупорядоченные твердые кристаллы, состоящие из длинных сопряженных полимерных цепочек, которые удерживаются вместе силами Ван-дер - Ваальса. Минимальное ( С - С) - расстояние вдоль цепочки составляет - 1 2 А, а расстояние между ближайшими цепочками равно - 7 А. Значительные ковалентные силы вдоль цепочки и слабое вандерваальсово взаимодействие между различными цепочками приводят к значительной анизотропии электрических свойств. Это делает данные кристаллы хорошими примерами квазиодномерных систем. [14]

Ожидаемая полевая зависимость вероятностей рекомбинации РП для СТВ-механиз-ма синглет-триплетных переходов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5