Полевая зависимость

Cтраница 5

Проведенный в работе теоретический анализ полевой зависимости подтверждает предложенное объяснение. Первый, как и в [120], заключался в возбуждении импульсным лазером и последующей регистрации спектров поглощения. Для исследования всей полевой зависимости ( от 0 до 500 Э) этого эффекта в [121] была использована стационарная методика. [61]

Проведенное в предыдущей лекции обсуждение спиновой динамики РП, некоторых механизмов синглет-триплетных переходов позволяет качественно предсказать вид полевой зависимости рекомбинации РП. Очевидно, в случае триплетного предшественника геминальной пары S-T переходы увеличивают вероятность рекомбинации РП, так как без S-T переходов такая РП не может рекомбинировать. Если же предшественник РП находился в синглетном состоянии, то S-T переходы уменьшают вероятность рекомбинации, так как они переводят РП из реакционноспособного синглетно-го состояния в триплетное состояние, в котором мы считаем рекомбинацию запрещенной. Имея в виду эти соображения, рассмотрим полевую зависимость рекомбинации РП для некоторых механизмов S-T переходов. Как было показано в предыдущей лекции, разница зеемановских частот спинов неспаренных электронов РП за счет различия g - факторов радикалов пары смешивает синглетное и триплетное состояния РП. Согласно обсуждению в предыдущей лекции частота S - T0 переходов РП растет с увеличением индукции магнитного поля. [62]

Кривые получены для тонкого образца ( 0 5 мкм) при температуре 204 К. При увеличении напряженности поля кривые нестационарного фототока приобре -, тают отчетливо недисперсионный характер. В последнем случае на кривой 2 появляется излом, соответствующий моменту пролета носителей заряда. Результаты, представленные на рис. 2.4.4, показывают, что полевую зависимость сечений захвата и времени освобождения носителей из ловушек необходимо учитывать даже для случая слабых полей. [63]

Это обстоятельство можно трактовать как зависимость эффекта от величины магнитного поля, поскольку в наших образцах с фиксированной концентрацией носителей дроби с большими числителями неизбежно отвечают более слабым полям. Такое предположение подтверждается экспериментами, выполненными для серии 1 / 3 в образцах, в которых концентрацию можно изменять так, чтобы минимумы 1 / 3 и 2 / 3 отвечали одной и той же напряженности магнитного поля. Результаты убедительно свидетельствуют о том, что при приведении к одному значению магнитного поля оба минимума имеют одинаковую величину. Заметив, что на рис. 1 серия 1 / 5 имеет такую же полевую зависимость, как и серия 1 / 3 в том же образце, можно заключить, что все представители серии 1 / 5, будучи приведенными к одной и той же величине поля, также должны иметь одинаковую амплитуду. [64]

Как и в случае рекомбинации радикалов, изменение спиновой мультиплетности может индуцироваться Ag - и СТВ-механизма-ми. Это приводит к эффективной парамагнитной релаксации триплетных молекул. Релаксационные переходы смешивают состояния двух парамагнитных частиц с различной мультиплетностью. Следовательно, влияние магнитного поля на элементарные процессы с участием триплетных молекул в растворах интерпретируется как результат полевой зависимости релаксационных переходов, вызванных флуктуирующим диполь-дипольным взаимодействием в триплетных молекулах. Такая интерпретация эквивалентна схеме, предложенной Броклехурстом [39] для объяснения эффекта магнитного поля в радиационно-химических превращениях. [65]

Зависимость рр от поля, обусловленная 0 050 - Ag-механизмом 5 - Г - переходов. ( / - Я 0 909. п. [66]

Для диффу-зионно-контролируемых реакций 5 - Г0 - переходы могут изменить константу скорости реакции в 2 раза. На рис. 1.8 и в табл. 1.5 приведены рассчитанные по формуле ( 1.94 а) значения фактора рр. Анализ рис. 1.7 и 1.8 и данных табл. 1.5 показывает, что зависимость вероятности рекомбинации диффузионных РП от поля качественно совпадает с полевой зависимостью рекомбинации РП из триплетного начального состояния. [67]

Страницы: 1 2 3 4 5