Полевая зависимость
Cтраница 4
Неожиданным является значительный разброс величин L ( E), полученных разными авторами: Понг и Смит [53] приводят в случае CuPhc для электронов с энергией 1 5 эВ величину L ( E) 11 А, тогда как Бубнов и Франкевич [11] предлагают для этого же соединения L ( E) 80 А. На основе измерения полевой зависимости квантового выхода фотогенерации в органических кристаллах типа антрацена Чане и Браун [13] заключили, что для свободных электронов с энергией в несколько электронвольт над энергетической щелью Eg длина термализации составляет 50 - 70 А ( см. разд. При этом длины термализации, по-видимому, не сильно отличаются для различных органических твердых тел и жидкостей. [46]
Имеет место спонтанный ( антиферромагнитный) эффект 12.3. Полевая зависимость фарадея. [47]
Теоретический анализ показывает, что вероятности триплет-триплетной аннигиляции и тушения триплетов радикалами в растворах должны падать с ростом напряженности магнитного поля. Для интенсивности флуоресценции в таком случае должны наблюдаться противоположные полевые зависимости. Теория предсказывает, кроме того, что переходная область лежит в полях, определяющихся равенством зеемановской и вращательной частот. [48]
Так, при повышенных температурах наблюдалось экспоненциальное возрастание тока с увеличением температуры ( область /), характерное для эмиссии Френкеля - Пула. При низких же температурах ток практически не зависел от температуры ( область / / /), причем в этой температурной области наблюдалась сильная полевая зависимость тока. Наконец, при промежуточных температурах ( область / /) наблюдалась омическая компонента тока, обусловленная прыжковым механизмом проводимости. [50]
С ростом температуры измерения величина диамагнитной восприимчивости прогрессивно уменьшается. В интервале 3 5 - 50 К наблюдается очень слабый парамагнитный вклад локализованных спиновых центров. Полевая зависимость восприимчивости отсутствует во всем изученном интервале температур измерения. [51]
 |
Полевая зависимость В0 ( Тл константы скорости синглет-триплетной конверсии.| Полевая зависи - В ( Тл мость выхода радикалов MV фв. [52] |
Была изучена кинетика переноса электрона от фотовозбужденного Ru ( bpy) f на К К - диметилвиологен ( MV2) з мицеллярном растворе. На рис. 13 приведена полевая зависимость фъ ( Св - С0) / С0, где Св, С0 - концентрация MV в магнитном поле и в отсутствие поля, соответственно. Наблюдаемая полевая зависимость вероятности для РП, рожденной в триплетном состоянии, избежать геминальной рекомбинации соответствует релаксационному механизму S-T переходов в РП, индуцированным случайной модуляцией анизотропного СТВ вращательной диффузией радикалов. [53]
Для поля - Н на полевой зависимости ( рис. 13.14) наблюдается участок протяженностью 10 кЭ, где сигнал трансформации практически отсутствует. Из рис. 13.14 видно, что поляризация генерируемого звука или электромагнитной волны существенным образом зависит от величины и знака магнитного поля. В условиях резонансов в генерируемой волне появляется эллиптичность, поскольку ДФР существует в одной из круговых поляризаций. Эллиптичность в условиях ДСЦР генерации имеет аналогичную природу. При инверсии магнитного поля эллипс поляризации разворачивается симметрично относительно направления вектора электрического поля Е ( 0) падающей на металл возбуждающей волны. [54]
В результате зарядовой деградации электрическое поле в объеме диэлектрика становится неоднородным. Накопление отрицательного заряда захваченных электронов в пленке ФСС достаточно большой плотности - Ю Кл / см вызывает резкое возрастание анодного электрического поля в пленке ФСС. Так как процесс межзонной ударной ионизации имеет полевую зависимость, то присутствие сильного электрического поля в ФСС требует отдельного рассмотрения вопроса о генерации дырок в слое ФСС. Для выяснения данного вопроса и проверки рассматриваемой модели на соответствие результатам эксперимента было проведено сравнение экспериментальных и расчетных зависимостей напряжения сдвига вольт-амперных характеристик ДК7 систем Si - SiO2 - Al 1 1О2 - ФСС-А1, изготовленных в одном технологическом цикле. [55]
Поэтому вклад компонент df пропорциональных 7i, пропадает и вновь справедливы формулы (11.181), (11.182) из предыдущего раздела. Отметим, что при Н Е ls Z соотношение (11.177) переходит при х О в то, которое получено в [8.28], если в последнем использовать обменное приближение. Разумеется, если ориентации Н и Е произвольны, то полевые зависимости частот АФМР тригональных и тетрагональных ЦАС антиферромагнетиков могут заметно отличаться. [56]
Кривые получены для тонкого образца ( 0 5 мкм) при температуре 204 К. В последнем случае на кривой 2 появляется излом, соответствующий моменту пролета носителей заряда. Результаты, представленные на рис. 2.4.4, показывают, что полевую зависимость сечений захвата и времени освобождения носителей из ловушек необходимо учитывать даже для случая слабых полей. [57]
Как ни велик объем информации, который можно получить о веществе с помощью импульсных полей, всегда останется работа для постоянных полей. Во-первых, потому, что изучению свойств проводящих сред в импульсном режиме мешают принципиально неустранимые индукционные токи. Во-вторых, и для слабопроводящих веществ не всегда удается обеспечить изотермичность процессов, порождаемых импульсным магнитным полем, что в ряде случаев существенно затрудняет получение чистых полевых зависимостей из экспериментальных данных. Кроме того, как уже отмечалось, постоянные СМП практически немоделируемы с помощью импульсных, если стоит задача изучить воздействие магнитного поля на такие сложные и медленно протекающие процессы, как динамика проводящих жидкостей, рост кристаллов, некоторые химические реакции, отдельные биофизические процессы или жизнедеятельность организма в целом. Прогресс техники постоянных магнитных полей немыслим без освоения новых материалов ( особенно сверхпроводников), первичные сведения о свойствах которых в сильных полях нельзя получить иначе, как с помощью тахники импульсных СМП достаточно большой длительности. [58]
Была изучена кинетика переноса электрона от фотовозбужденного Ru ( bpy) f на К К - диметилвиологен ( MV2) з мицеллярном растворе. На рис. 13 приведена полевая зависимость фъ ( Св - С0) / С0, где Св, С0 - концентрация MV в магнитном поле и в отсутствие поля, соответственно. Наблюдаемая полевая зависимость вероятности для РП, рожденной в триплетном состоянии, избежать геминальной рекомбинации соответствует релаксационному механизму S-T переходов в РП, индуцированным случайной модуляцией анизотропного СТВ вращательной диффузией радикалов. [59]
Видно, что в магнитном поле интенсивность эмиссии после действия импульса ( - 50 не) заметно увеличена. Наблюдаемый эффект означает, что в магнитном поле заселенность предшествующих синглетных ион-радикальных пар возрастает. Это находит качественное объяснение в рамках СТВ-механизма. Исследование полевой зависимости интенсивности флуоресценции, проведенное в работе [118], подтверждает этот вывод. Как видно из рис. 11.10, общий вид экспериментальной кривой аналогичен рассчитанной для СТВ-механизма ( ср. Поскольку выход синглетных состояний в магнитном поле увеличивается, одновременно должен уменьшиться выход триплетных возбужденных состояний. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5